200A,600V bis 1800V, 413F3D
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Abschalt-Thyristor-Module ,MK(H) x200 MK200, 200A, Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
600V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission übermitteln. |
800V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1000V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1200V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1400V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Die Kommission wird die Kommission übermitteln. |
1600V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission übermitteln. |
1800V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1800V |
MK200-18-413F3DG |
|
MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK
MHx steht für jeden Typ von MHC, MHA, MHK
Funktionen ：
Typische Anwendungen ：
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
I T(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halb Sinuswelle 50 Hz Einseitige Kühlung, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
200 |
Ein |
I T(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
314 |
Ein |
||
I DRM I RRM |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
50 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM |
125 |
|
|
4.8 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
115 |
103Ein 2s |
||
V Um |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
1.65 |
V |
r T |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.60 |
m |
||
V TM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=600A |
25 |
|
|
2.65 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
|||
I GT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
180 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
20 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
||
V GD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.100 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
770 |
|
g |
Gliederung |
413F3D |
||||||
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