MTx820,MFx820,Tyristor/Diodenmodule,Luftkühlung

VRRM ,VDRM

TYP & Umriss

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000V

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

1200V

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(℃)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbsinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, Tc=85℃

135

820

A

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

1287

A

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

135

120

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10 ms halbe Sinuswelle, VR=0V

135

20.1

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

2020

A ²s* 10 ³

VTO

Schwellenspannung

135

0.81

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.24

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1500A

25

1.38

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

135

200

A/μs

tgd

Torsteuerung der Verzögerungszeit

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

4

μs

tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

135

250

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

300

mA

IL

Haltestrom

Die Ergebnisse der Analyse werden in der Tabelle 1 beschrieben.

25

1500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

135

0.25

V

IGD

Nicht auslösender Torstrom

VDM=67%VDRM

135

5

mA

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.047

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.015

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Anschlussdrehmoment (M10)

10.0

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

135

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

1410

g

Gliederung

416F3