GD300HFU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

320

300

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1063

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

1.85

V

I C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

I C =300A,V GE =15V, T j =175 o C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =25 o C

405

nS

t r

Aufstiegszeit

83

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

586

nS

t k

Herbstzeit

129

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

34.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =125 o C

461

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

676

nS

t k

Herbstzeit

214

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

48.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.6

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =175 o C

518

nS

t r

Aufstiegszeit

124

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

738

nS

t k

Herbstzeit

264

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

58.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

31.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤7μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1150

A

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1110

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.60

2.00

V

I K =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.60

I K =300A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.50

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j =25 o C

19.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

140

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.92

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =125 o C

33.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

159

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.35

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =175 o C

46.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

171

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.7

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

21

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

1.80

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT )Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

M

Montageschraube:M6

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g