GD300HFU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1063

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V GE =15V, T j =175o C

1.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=8mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =25o C

405

nS

t r

Aufstiegszeit

83

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

586

nS

t f

Herbstzeit

129

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

34.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =125o C

461

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

676

nS

t f

Herbstzeit

214

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

48.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.6

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =175o C

518

nS

t r

Aufstiegszeit

124

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

738

nS

t f

Herbstzeit

264

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

58.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

31.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤7μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1150

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1110

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =175o C

1.50

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j =25o C

19.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

140

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.92

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =125o C

33.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

159

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.35

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =175o C

46.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

171

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.7

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

21

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

1.80

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Fall – bis – Heizkessel (proIGBT )Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

M

Montageschraube:M6

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g