GD200SGU120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

GD200SGU120C2S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

320

200

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1 ms

400

A

I K

Diode Dauerstrom @ T C =80 ℃

200

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 50℃

1645

W

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montage Drehmoment

Signalanschluss Schraube:M4

1.1 bis 2.0

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montageschraube:M6

3,0 bis 5.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25 ℃

1200

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, T j =25 ℃

3.10

3.55

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 ℃

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 ℃

577

nS

t r

Aufstiegszeit

120

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

540

nS

t k

Herbstzeit

123

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125 ℃

609

nS

t r

Aufstiegszeit

121

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

574

nS

t k

Herbstzeit

132

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.2

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

16.9

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.61

nF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1800

A

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =200A

T j =25 ℃

1.82

2.25

V

T j =125 ℃

1.92

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

I K =200A,

V R =600V,

R G = 4,7Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

13.1

μC

T j =125 ℃

26.1

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25 ℃

123

A

T j =125 ℃

172

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

7.0

mJ

T j =125 ℃

12.9