1200V 200A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximal Kennwerte T C=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Beschreibung |
GD200SGU120C2S |
Einheiten |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
IC |
Kollektorstrom @ T C=25℃ @ T C=80℃ |
320 200 |
A |
ICm |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
400 |
A |
IF |
Diode Dauerstrom @ T C=80℃ |
200 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
400 |
A |
PD |
Maximalleistung Ablösung @ T j =150℃ |
1645 |
W |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
150 |
℃ |
T Stg |
Lagertemperatur Reichweite |
-40 bis +125 |
℃ |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
4000 |
V |
Montage Drehmoment |
Signalanschluss Schraube:M4 |
1.1 bis 2.0 |
|
Schraube für die Antriebsspitze:M6 |
2,5 bis 5.0 |
N.M |
|
Montageschraube:M6 |
3,0 bis 5.0 |
|
Elektrische Eigenschaften aus IGBT T C=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V (BR )CES |
Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
Sammler Geschnitten -Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=200A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V |
IC=200A,V GE =15V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Schaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, T j =25℃ |
|
577 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
nS |
|
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
540 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
123 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
16.3 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
12.0 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, T j =125℃ |
|
609 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
121 |
|
nS |
|
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
574 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
132 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
22.0 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
16.2 |
|
mJ |
|
Cies |
Eingangskapazität |
V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V |
|
16.9 |
|
nF |
C- Die |
Ausgangskapazität |
|
1.51 |
|
nF |
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.61 |
|
nF |
|
|
ISC |
SC-Daten |
t P≤ 10 μs, V GE =15 V, T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V |
|
1800 |
|
A |
LCE |
Streuinduktivität |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC’+EE’ |
Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften aus Diode T C=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
IF =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
||||
F r |
Wiederhergestellt Ladevorgang |
IF =200A, V R =600V, R G= 4,7Ω, V GE =-15V |
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
||||
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
T j =25℃ |
|
123 |
|
A |
|
T j =125℃ |
|
172 |
|
||||
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
mJ |
|
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
||||
Thermische Eigenschaften en
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
R θ JC |
Junction-to-Case (pro IGB T) |
|
0.076 |
K/W |
R θ JC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
0.128 |
K/W |
R θ CS |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen) |
0.035 |
|
K/W |
Gewicht |
Gewicht Modul |
300 |
|
g |
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