Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.
Eigenschaften
- NPT-IGBT-Technologie
- 10μs Kurzschlussfähigkeit
- Niedrige Schaltverluste
- Robust mit ultraschnellen Leistungen
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
- Niedrige Induktivitätsgehäuse
- Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
- Schaltmodus-Netzteile
- Induktionsheizung
- Elektrischer Schweißer
Absolut Maximal Kennwerte T C =25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Beschreibung |
GD200SGU120C2S |
Einheiten |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
W C |
Kollektorstrom @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
320
200
|
Ein |
W CM |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
400 |
Ein |
W F |
Diode Dauerstrom @ T C =80℃ |
200 |
Ein |
W FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
400 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T j =150℃ |
1645 |
W |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
150 |
℃ |
T Stg |
Lagertemperatur Reichweite |
-40 bis +125 |
℃ |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
Montage Drehmoment |
Signalanschluss Schraube:M4 |
1.1 bis 2.0 |
|
Schraube für die Antriebsspitze:M6 |
2,5 bis 5.0 |
N.M |
Montageschraube:M6 |
3,0 bis 5.0 |
|
Elektrische Eigenschaften aus IGBT T C =25℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V (BR )CES |
Kollektor-Emitter
Durchschlagsspannung
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
W CES |
Sammler Geschnitten -Aus
Aktuell
|
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
W GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
W C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE(sat)
|
Kollektor zu Emitter
Sättigungsspannung
|
W C =200A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
W C =200A,V GE =15V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Schaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25℃
|
|
577 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
540 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
123 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
16.3 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
12.0 |
|
mJ |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125℃
|
|
609 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
121 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
574 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
132 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
22.0 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
16.2 |
|
mJ |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =30V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
16.9 |
|
nF |
C - Die |
Ausgangskapazität |
|
1.51 |
|
nF |
C res |
Rückübertragungs-
Kapazität
|
|
0.61 |
|
nF |
|
W SC
|
SC-Daten
|
t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,
T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V
|
|
1800
|
|
Ein
|
L CE |
Streuinduktivität |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC’+EE’
|
Modul Blei
Widerstand,
Anschluss zu Chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Elektrische Eigenschaften aus Diode T C =25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V F |
Diodenvorwärts
Spannung
|
W F =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
Q r |
Wiederhergestellt
Ladevorgang
|
W F =200A,
V R =600V,
R G = 4,7Ω,
V GE =-15V
|
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
T j =25℃ |
|
123 |
|
Ein |
T j =125℃ |
|
172 |
|
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
Thermische Eigenschaften en
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
R θ JC |
Junction-to-Case (pro IGB T) |
|
0.076 |
K/W |
R θ JC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
0.128 |
K/W |
R θ CS |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen) |
0.035 |
|
K/W |
Gewicht |
Gewicht Modul |
300 |
|
g |
EN
