GD300HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=95o C

452

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1724

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=7.50mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =25o C

200

nS

t r

Aufstiegszeit

47

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

245

nS

t f

Herbstzeit

65

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.15

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =125o C

206

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

280

nS

t f

Herbstzeit

94

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

29.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =150o C

209

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

295

nS

t f

Herbstzeit

105

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

35.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.6

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

287

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.81

mJ

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

295

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.3

mJ

F r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

300

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ