GD300HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =95o C

452

300

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1724

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

W C =300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

W C =300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

W C =300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =7.50mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =25o C

200

nS

t r

Aufstiegszeit

47

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

245

nS

t f

Herbstzeit

65

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.15

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =125o C

206

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

280

nS

t f

Herbstzeit

94

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

29.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.5

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =150o C

209

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

295

nS

t f

Herbstzeit

105

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

35.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.6

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

W F =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

W F =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

W F =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

287

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.81

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

295

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.3

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

300

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ