GD300CUX120C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

477

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1578

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =25o C

181

nS

t r

Aufstiegszeit

39

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

305

nS

t f

Herbstzeit

199

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =125o C

191

nS

t r

Aufstiegszeit

45

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

357

nS

t f

Herbstzeit

313

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =150o C

193

nS

t r

Aufstiegszeit

47

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

368

nS

t f

Herbstzeit

336

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

44.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.3

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25o C

59.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

397

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.9

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125o C

91.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.5

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150o C

99.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.095 0.163

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.022 0.037 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g