GD300CUX120C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

477

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

1578

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

I C =300A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.95

I C =300A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =25 o C

181

nS

t r

Aufstiegszeit

39

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

305

nS

t f

Herbstzeit

199

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =125 o C

191

nS

t r

Aufstiegszeit

45

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

357

nS

t f

Herbstzeit

313

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =150 o C

193

nS

t r

Aufstiegszeit

47

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

368

nS

t f

Herbstzeit

336

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

44.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25 o C

59.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

397

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125 o C

91.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150 o C

99.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.095 0.163

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.022 0.037 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g