GD260HTX120P7H,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =100 o C

150

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

520

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T j =175 o C

500

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

520

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

1.75

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

I C =150A,V GE =15V, T j =150 o C

1.60

I C =260A, V GE =15V, T j =25 o C

1.70

I C =260A, V GE =15V, T j =150 o C

2.15

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =10,4 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

3.6

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

22.4

nF

C - Die

Ausgangskapazität

0.95

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.55

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =150A, V GE =-8...+15V

1.32

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =25 o C

181

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

541

nS

t f

Herbstzeit

217

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

14.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =125 o C

193

nS

t r

Aufstiegszeit

52

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

609

nS

t f

Herbstzeit

319

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =150 o C

199

nS

t r

Aufstiegszeit

54

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t f

Herbstzeit

333

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.45

1.80

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.40

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

I F =260A, V GE =0V,T j =25 o C

1.65

I F =260A, V GE =0V,T j =1 50o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T j =25 o C

6.55

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

115

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.23

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T j =125 o C

14.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

125

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.42

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T j =150 o C

16.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

130

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.31

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

△ p

Druckabfall Kühlung Cir schönheit

δ V/Δt=10.0dm3/min;TF=2 5 o C;Kühl Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

50

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.0

stange

R die

Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel

0.200 0.274

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

685

g