GD225HFX120C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =195 o C

338

225

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

450

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1071

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

225

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =225A,V GE =15V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 o C

2.00

I C =225A,V GE =15V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8.16 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

23.3

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.65

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

136

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

372

nS

t k

Herbstzeit

69

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

5.78

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

145

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

461

nS

t k

Herbstzeit

88

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

153

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

nS

t k

Herbstzeit

98

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

900

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =225A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I K =225A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I K =225A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =25 o C

25.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

345

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =125 o C

49.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

368

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I K =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =150 o C

56.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.140 0.203

K/W

R thCH

Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT ) Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.030 0.044 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g