GD225HFX120C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=195o C

338

225

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

450

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1071

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

225

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=8.16mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

23.3

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.65

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

136

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

372

nS

t f

Herbstzeit

69

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

5.78

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

145

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

461

nS

t f

Herbstzeit

88

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

153

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

nS

t f

Herbstzeit

98

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

900

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =25o C

25.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

345

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.8

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =125o C

49.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

368

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.6

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =150o C

56.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.140 0.203

K/W

R thCH

Fall – bis – Heizkessel (proIGBT ) Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.030 0.044 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g