GD260HTA120P7H_T,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

A

I C

Kollektorstrom @ T K =125 o C

150

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

520

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T vj =175 o C

526

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

520

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.15

1.50

V

I C =150A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.20

I C =150A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.20

I C =260A, V GE =15V, T vj =25 o C

1.35

I C =260A, V GE =15V, T vj =150 o C

1.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =10,4 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

6.4

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.50

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

54.1

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.04

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =260A, V GE =-8...+15V

3.54

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T vj =25 o C

345

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

933

nS

t k

Herbstzeit

105

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T vj =125 o C

376

nS

t r

Aufstiegszeit

69

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1052

nS

t k

Herbstzeit

164

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

14.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T vj =150 o C

382

nS

t r

Aufstiegszeit

73

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1085

nS

t k

Herbstzeit

185

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

15.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.45

1.80

V

I K =150A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.40

I K =150A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.35

I K =260A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.65

I K =260A, V GE =0V,T vj =150 o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =150A,

-di/dt=2690A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T vj =25 o C

14.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

123

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.79

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =150A,

-di/dt=2210A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T vj =125 o C

24.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

137

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.30

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =150A,

-di/dt=2130A/μs, V GE = 8V L S =35 nH ,T vj =150 o C

27.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.08

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

△ p

Druckabfall Kühlung Cir schönheit

δ V/Δt=10.0dm3/min;TF=2 5 o C;Kühl Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

50

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.0

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

0.165 0.265

0.190 0.305

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

685

g