GD200HFX120C8SN,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1293

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

200

A

IFRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.6

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.52

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

nS

t r

Aufstiegszeit

31

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

239

nS

t f

Herbstzeit

188

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

nS

t r

Aufstiegszeit

36

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

284

nS

t f

Herbstzeit

284

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.9

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

294

nS

t f

Herbstzeit

303

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.8

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

220

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

209

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

12.9

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

204

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Gewicht aus Modul

200

g