IGBT-Modul, GD1000HTA75P6HT Starpower

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

IC

Kollektorstrom @ T F =125o C

450

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

2000

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

IFN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2000

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

d Durchsichtig

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =150o C

1.10

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.50

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

nF

QG

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

nS

t f

Herbstzeit

133

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

nS

t f

Herbstzeit

226

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

nS

t r

Aufstiegszeit

70

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

nS

t f

Herbstzeit

239

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7809A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

303

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.72

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6940A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

376

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.09

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6748A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.01

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte <40o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stab

R die

Junction – bis – Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht aus Modul

750

g