IGBT-Modul, GD1000HTA75P6HT Starpower

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

I C

Kollektorstrom @ T K =125 o C

450

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

2000

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T vj =175 o C

1282

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2000

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

d Klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =150 o C

1.10

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =175 o C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.50

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

nS

t k

Herbstzeit

133

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 o C

260

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

nS

t k

Herbstzeit

226

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175 o C

264

nS

t r

Aufstiegszeit

70

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

nS

t k

Herbstzeit

239

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K = 450 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

I K = 450 A, V GE =0V,T vj =150 o C

1.35

I K = 450 A, V GE =0V,T vj =175 o C

1.30

I K =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

I K =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.80

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

303

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.72

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =150 o C

36.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

376

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.09

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =175 o C

40.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.01

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte < 40 o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g