800A,600V bis 1800V, 414S3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx800 MFx800 MT1 ,8 00Ein ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800Ein ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
VDRM VRRM, |
Typ & Umriss |
|
800V |
MT2 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1000V |
MT3 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1200V |
MT3 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1400V |
MT3 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1600V |
MT3 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1800V |
MT3 Verbraucher |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1800V |
MT4Einheitliche Anlage |
|
MTx steht für jede Art von MTC, MTA , MTK
MFx steht für jede Art von MFC, Außenminister, MFK
Funktionen
Typische Anwendungen
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj(℃) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halb Sinuswelle 50 Hz Einseitige Kühlung, Tc=55°C |
125 |
|
|
800 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz |
|
|
1256 |
Ein |
|
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10 ms halbe Sinuswelle, VR=0V |
125 |
|
|
16 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
1280 |
Ein 2s* 10 3 |
||
VTO |
Schwellenspannung |
|
135 |
|
|
0.80 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.26 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.45 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
Torsteuerung der Verzögerungszeit |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
25 |
|
|
4 |
μs |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
125 |
|
250 |
|
μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
10 |
|
300 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
Die Ergebnisse der Analyse werden in der Tabelle 1 beschrieben. |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.25 |
V |
IGD |
Nicht auslösender Torstrom |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.065 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.020 |
°C/W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
2100 |
|
g |
Gliederung |
414S3 |
||||||
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