Kurze Einführung
IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.
Eigenschaften
- Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
- Niedrige Schaltverluste
-
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
- Niedrige Induktivitätsgehäuse
- Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
- Ununterbrochene Stromversorgung
- Induktionsheizung
- Schweißmaschine
Absolut Maximal Kennwerte T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
W C |
Kollektorstrom @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
309
200
|
Ein |
W CM |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
400 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T =175o C |
1006 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
V |
W F |
Diode kontinuierlich vorwärts rent |
200 |
Ein |
W FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
400 |
Ein |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagertemperatur Reichweite |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat)
|
Kollektor zu Emitter
Sättigungsspannung
|
W C =200A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
W C =200A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
W C =200A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
W C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
W CES |
Sammler Geschnitten -Aus
Aktuell
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
W GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
4.0 |
|
ω |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
150 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
32 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
330 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
93 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
11.2 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
161 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
37 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
412 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
165 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
19.8 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
161 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
43 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
433 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
185 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
21.9 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
W SC
|
SC-Daten
|
t P ≤ 10 μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V
|
|
800
|
|
Ein
|
Diode Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
V F
|
Diodenvorwärts
Spannung
|
W F =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
W F =200A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
W F =200A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
17.6 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
228 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
7.7 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
31.8 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
238 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
13.8 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C
|
|
36.6 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
247 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
15.2 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Abweichung aus R 100 |
T C = 100 o C, R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Leistung
Abgabe
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
L CE |
Streuinduktivität |
|
21 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip |
|
1.80 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (pro IGB T)
Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel
|
|
|
0.149
0.206
|
K/W |
|
R thCH
|
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)
Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)
Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
K/W |
M |
Montageschraube:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
300 |
|
g |
EN
