GD2400SGX170C4S,IGBT-Modul,Hochstrom-IGBT-Modul,STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1 700V 1200Ein ,A3 .

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
AlSiC Grundplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit
AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand cE

Typische Anwendungen

AC-Inverter-Antriebe
Schaltmodus-Netzteile
Elektronische Schweißer

Absolut Maximum Kennwerte T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C	2206 1200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	2400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C	8.77	KW

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	1200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	2400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute	4000	V

IGBT Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =1200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		I C =1200A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		I C =1200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =48.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.0		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		145		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		3.51		nF
Q G	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		11.3		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j =25 o C		440		nS
t r	Aufstiegszeit			112		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1200		nS
t f	Herbstzeit			317		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			271		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			295		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j =125 o C		542		nS
t r	Aufstiegszeit			153		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1657		nS
t f	Herbstzeit			385		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			513		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			347		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j =150 o C		547		nS
t r	Aufstiegszeit			165		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1695		nS
t f	Herbstzeit			407		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			573		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			389		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		Ein

Diode Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =1200A,V GE =0V, t j =25℃		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V GE =0V, t j =125℃		1.90
		I F =1200A,V GE =0V, t j =150℃		1.95
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =25℃		190		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			844		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			192		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =125℃		327		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			1094		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			263		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃		368		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			1111		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			275		mJ

Modul Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		12		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.19		mΩ
R thJC	Junction -um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			17.1 26.2	K/kW
R thCH	Fall -um -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		9.9 15.2 6.0		K/kW
M	Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M8 Montageschraube:M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.M
G	Gewicht von Modul		1050		g