H125KPU,Phasensteuerung Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt

TC=55 。C

90

2800

Ein

IDRM IRRM

Wiederholte Spitzen aktuell

bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms

90

700

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0,6VRRM

90

40

kA

I 2t

I 2t für die Schmelzsicherung

8000

103Ein 2s

VTO

Schwellenspannung

90

0.92

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.32

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

Kritische Anstiegsrate o f im Sperrzustand spannung

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate e des Einschaltzustands aktuell

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000μs, die in Anhang I Nummern 1 bis 6 genannten Prüfungen durchgeführt werden; VR=50V

90

6500

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

I H

Haltestrom

25

200

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

Wärmeleitfähigkeit Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt

Klemmkraft 120kN

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit gehäuse zu heizkessel

0.001