GD1000HTA75P6HT

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 750V 1000Ein ,P6 .

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupfer-Pinfin-Blechplatte mit Si3N4 AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	750	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	1000	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =125 o C	450	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	2000	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T vj =175 o C	1282	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	750	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	1000	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	450	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	2000	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T vjop	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus	-40 bis +150 +150 bis +175	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
d Kriechen	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	9.0 9.0	mm
d Klar	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =150 o C

1.10

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =175 o C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.50

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

nS

t f

Herbstzeit

133

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 o C

260

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

nS

t f

Herbstzeit

226

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175 o C

264

nS

t r

Aufstiegszeit

70

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

nS

t f

Herbstzeit

239

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

Ein

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Diode Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 450 A, V GE =0V,T vj =2 5o C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A, V GE =0V,T vj =150 o C		1.35
		I F = 450 A, V GE =0V,T vj =175 o C		1.30
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C		1.80
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =25 o C		18.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			303		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			3.72		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =150 o C		36.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			376		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.09		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T vj =175 o C		40.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			383		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			9.01		mJ

NTC Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.75		mΩ
p	Maximaler Kühldruck schönheit T ausfallplatte < 40 o C T ausfallplatte > 40 o C (relativer Druck)			2.5 2.0	stange
R die	Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T F = 75 o C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
M	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Gewicht von Modul		750		g