GD1000HFA75N5HT

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Sammler Aktuell T vj =175 o C

680

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1360

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T vj =175 o C

1086

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

680

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1360

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =680A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.25

1.50

V

I C =680A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.35

I C =680A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.45

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.70

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =175 o C

3.5

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =25 o C

196

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

407

nS

t f

Herbstzeit

125

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =150 o C

222

nS

t r

Aufstiegszeit

63

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

471

nS

t f

Herbstzeit

178

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

37.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =175 o C

224

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

nS

t f

Herbstzeit

194

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

39.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs,V GE =15V,

4000

Ein

T vj =25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs,V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I F =680A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.60

I F =680A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.55

I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.75

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj =25 o C

19.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

458

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.10

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj =150 o C

29.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

504

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.70

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L S =16 nH ,T vj =175 o C

34.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

526

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn Widerstand

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

T Sch

Selbst Heizung

T C =0 o C

I m =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

5

nH

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stange

R die

Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=8.0 dm 3/min ,T F =65 o C

0.080 0.115

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Gewicht von Modul

220

g