GD1000HFA120C6S_B39,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F = 75 o C

765

Ein

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp begrenzt von T vjop

2000

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C ,T j =175 o C

1515

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

765

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp begrenzt von T vjop

2000

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

4100

3000

Ein

I 2t

I 2t- wert ,t p =10 ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

84000

45000

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.45

1.90

V

I C =1000A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.65

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.80

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25 o C

330

nS

t r

Aufstiegszeit

140

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

842

nS

t f

Herbstzeit

84

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

144

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

87.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =125 o C

373

nS

t r

Aufstiegszeit

155

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

915

nS

t f

Herbstzeit

135

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

186

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

104

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =175 o C

390

nS

t r

Aufstiegszeit

172

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

950

nS

t f

Herbstzeit

162

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

209

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

114

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs,V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200V

3200

Ein

t P ≤6μs,V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200V

3000

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.60

2.05

V

I F =1000A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.70

I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.60

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

91.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

441

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,

T vj =125 o C

141

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

493

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,

T vj =175 o C

174

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

536

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.4

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R die

Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T F = 75 o C

0.066 0.092

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

400

g

P

Maximaler Druck in kühlkreislauf

3

stange

∆p

Druckabfall Kühlung Cir schönheit

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 o C;Kühl Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

47

mbar