Super-Junction-MOSFET

Der Super-Junction-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) führt auf der Grundlage des herkömmlichen VDMOS eine laterale elektrische Feldsteuerung ein, wodurch die vertikale elektrische Feldverteilung einer idealen Rechteckform annähert. Diese Struktur verbessert die Spannungsfestigkeit des Bauelements um ca. 20 %, während der gleiche Epitaxialwiderstand beibehalten wird. Für produkte bei gleichen Spannungsfestigkeits-Spezifikationen kann der flächenbezogene Einschaltwiderstand der Super-Junction-Technologie auf weniger als 1/8 des Werts der herkömmlichen Struktur reduziert werden, wodurch eine synergetische Optimierung der Einschalt- und Ausschalt-Eigenschaften erreicht wird.
Unsere Super-Junction-MOSFET-Serie wird unter Verwendung einer Tiefgraben-Technologie und mehrerer Epitaxieprozesse hergestellt und zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie eine geringe Steuerladung aus. Sie reduziert die Verluste im eingeschalteten und ausgeschalteten Zustand erheblich und eignet sich daher besonders für leistungsdichte und hocheffiziente Leistungselektronik-Umrichtersysteme.

Überblick über die Anwendung von Super-Junction-MOSFETs in OBCs

Überblick über die Anwendung von Super-Junction-MOSFETs in OBCs
Die idealen Ladeorte für Elektrofahrzeuge und Hybridfahrzeuge beschränken sich nicht allein auf Ladestationen. Jeder Ort, an dem Strom bereitgestellt wird, kommt als Lademöglichkeit infrage. Ein On-Board-Ladegerät ist ein Gerät, das Wechselstrom in den für das Fahrzeugladevorgang erforderlichen Gleichstrom umwandelt. Es ermöglicht das Laden des Fahrzeugs zu zu Hause Hause oder am Arbeitsplatz. Seine Leistung bestimmt die Ladeleistung und -effizienz und wirkt sich unmittelbar auf die Benutzererfahrung aus.