gebühren für die
Das IGBT-Bauelement mit 300 A und 1200 V stellt eine bedeutende Weiterentwicklung in der Leistungshalbleitertechnologie dar und bietet ein optimales Verhältnis zwischen Kosten und Leistung. Dieses Bauteil vereint die hohe Eingangsimpedanz und schnelle Schaltfähigkeit von MOSFETs mit der geringen Sättigungsspannung bipolarer Transistoren. Zu aktuellen Marktpreisen bewegen sich die Kosten für diese Komponenten typischerweise zwischen 30 und 80 US-Dollar pro Stück, abhängig vom Hersteller und der bestellten Menge. Die Strombelastbarkeit von 300 A und die Sperrspannung von 1200 V machen dieses IGBT-Bauelement ideal für Hochleistungsanwendungen in Industrieantrieben, erneuerbaren Energiesystemen und Elektrofahrzeug-Antriebssträngen. Das Gerät verfügt über fortschrittliche Grabengate-Technologie, die minimale Leitverluste und verbesserte thermische Eigenschaften gewährleistet. Mit integrierten Schutzfunktionen wie Kurzschlussschutz und Temperatursensorik bieten diese IGBTs zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Umweltbedingungen. Der Preis spiegelt die aufwendigen Fertigungsprozesse und Qualitätskontrollmaßnahmen wider, die umgesetzt werden, um gleichbleibende Leistungsfähigkeit und Langlebigkeit sicherzustellen. Hersteller bieten häufig verschiedene Gehäusevarianten an, einschließlich Module mit integrierten Freilaufdioden, welche den Endpreis beeinflussen können, jedoch erweiterte Funktionalität sowie vereinfachte Systemintegration bieten.