Кратке вступ:
Високовольтні, одноключові IGBT модулі, вироблені CRRC. 4500В 900А.
Особливості
SPT+чип-сет для низької комутації втрати |
Низька В CEsat |
Низька водія потужність |
Aплітка для високих потужність c кріло здатність y |
Підкладка AlN для низького термічного опір |
Типовий застосування
Двигуни тягу |
DC чоппер |
Високовольтні інвертори/перетворювачі |
Максимальні номінальні значення
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Умови/条件 |
хВ |
макс. |
ОДИНИЦЯ |
Напруження колектора-еміттера 集电极 - випромінювання |
В CES |
В ГЕ =0V,T vj ≥ 25°C |
|
4500 |
В |
DC Колектор струм 集电极电流 |
IC |
T C =80°C |
|
900 |
A |
Піковий колектор струм 集电极峰值电流 集电极峰值电流 集电极峰值 集电极峰值 集电极峰值 集电流 |
IСм |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
A |
Напруження шлюзового випромінювача 极 випромінювання极 електричний тиск |
В ГЕС |
|
-20 |
20 |
В |
Загальний дисипація потужності |
Ptot |
T C =25°C,перемикання(IGBT) |
|
8100 |
Ш |
Прямого току прямий струм |
IF |
|
|
900 |
A |
Пікова провідна струма 峰值正向电流 峰值正向电流 |
IФРМ |
tp=1 мс |
|
1800 |
A |
Імпульс струм 浪涌电流 |
IФСМ |
В Прут =0V,T vj =125°C,tp=10ms, полусинусова хвиля |
|
6700 |
A |
Коротке замикання IGBT сХЕМА SOA IGBT короткочасовий безпечний робочий район |
t пс
|
В CC = 3400В,В CEMCHIP ≤4500V В ГЕ ≤ 15В,Tvj ≤ 125°C
|
|
10
|
μ с
|
Ізоляційне напруження 绝缘电压 |
В ізоль |
1 хв, f=50 Гц |
|
10200 |
В |
Температура перетину 结温 |
T vj |
|
|
150 |
℃ |
Теплові температури на перетині зруйновано |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Температура корпусу 温 |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Температура зберігання storage температура |
T сТГ |
|
-50 |
125 |
℃ |
Монометри монтажу |
Х С |
|
4 |
6 |
Нм |
Х T 1 |
|
8 |
10 |
Х T 2 |
|
2 |
3 |
|
Значення характеристик IGBT
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Умови/条件 |
ХВ |
тип |
макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
Колекціонер (- емітер) пробій напруга
集电极 - випромінювання
|
В (BR) CES
|
В ГЕ =0V, IC=10mA, Tvj=25°C |
4500
|
|
|
В
|
|
Насичення колектора-емітера напруга
集电极 - випромінювання і електричний тиск
|
В CEsat
|
IC =900A, В ГЕ =15В |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
В |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
В |
Коллектор відключений. струм 集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流 |
ICES |
В СЕ =4500В, В ГЕ =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
mA |
Затвор ток увідки 极漏电流 |
IГЕС |
В СЕ =0V,V ГЕ =20В, T vj =125°C |
-500 |
|
500 |
нА |
Порожнє напруження шлюзового випромінювача 极发射极值电压 |
В ГР (р) |
IC = 240mA,V СЕ =V ГЕ , T vj =25°C |
4.5 |
|
6.5 |
В |
Затвор заряд 极电荷 |
П g |
IC =900A,V СЕ = 2800В, В ГЕ =-15В … 15В |
|
8.1 |
|
мК |
Вхідна емкості |
Cies |
В СЕ =25V,V ГЕ =0V, f=1MHz,T vj =25°C
|
|
105.6 |
|
нФ
|
Вихідна ємність |
Coes |
|
7.35 |
|
Обертальна передача емкості обертоперехідна електроможливість |
Cres |
|
2.04 |
|
Запізнення включення час 开通延迟时间 |
t d(on) |
В CC = 2800В,
IC =900A,
Прут G =2.2о ,
В ГЕ =±15В,
Lσ = 280nH,
щуровий навантаження
|
TVj = 25 °C |
|
680 |
|
n
|
TVj = 125 °C |
|
700 |
|
Час підйому 上升时间 |
t прут |
TVj = 25 °C |
|
230 |
|
TVj = 125 °C |
|
240 |
|
Час затримки вимикання 关断延迟时间 |
t d (зВІЛЕНО ) |
TVj = 25 °C |
|
2100 |
|
n
|
TVj = 125 °C |
|
2300 |
|
Час осені 下降时间 |
t f |
TVj = 25 °C |
|
1600 |
|
TVj = 125 °C |
|
2800 |
|
Зав'язаний перемикач втрата енергії 开通损耗能量 |
Eувімкнено |
TVj = 25 °C |
|
1900 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
2500 |
|
Вимкнення втрата енергії 关断损耗能量 |
EзВІЛЕНО |
TVj = 25 °C |
|
3100 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
3800 |
|
Коротке замикання струм коротке замикання |
ISC |
t пс ≤ 10μ s, V ГЕ =15В, T vj = 125°C,V CC = 3400В |
|
3600 |
|
A |
EN
