Усі категорії
Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Модуль IGBT 1200V

Модуль IGBT 1200V

Головна сторінка/Продукти/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD275MJS120L6S, IGBT Модуль, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 275А, Упаковка: L6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Вступ
  • Контур
  • Схема еквівалентного кола
Вступ

Коротке представлення

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER .120275А.

Особливості

  • Низький VCE (присутність) Технологія IGBT траншеї
  • ВЦЕ (Сітат) з позитивний температура коефіцієнт
  • Максимальна температура сп'ювання 175
  • Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
  • Ізольований використання мідної пластини Si3 N4 Технологія AMB

Типові застосування

Сонячна енергія

3-сторонні- застосування

Абсолютно Максимальний Рейтинги T F =25o C якщо тільки інакше зазначено

T1-T4 IGBT

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

І CN

Застосований Колектор C рент

275

А

І C

Струм колектора @ T C=100o C

110

А

І См

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

450

А

Діод D1/D4

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1200

В

І ФН

Застосований Прямий Потік відсоток

275

А

І F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

300

А

І ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

450

А

Діод D2/D3

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1200

В

І ФН

Застосований Прямий Потік відсоток

275

А

І F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

225

А

І ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

450

А

Діод D5/D6

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1200

В

І ФН

Застосований Прямий Потік відсоток

275

А

І F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

300

А

І ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

450

А

Модуль

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

T jmax

Максимальна температура перетину

175

o C

T джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

T СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

o C

В ISO

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min

3200

В

T1-T4 IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =25o C

2.00

2.45

В

І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =125o C

2.70

І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.90

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

І C=9.00mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

В

І CES

Колекціонер Розрізаний ЗВІЛЕНО Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V, T j =25o C

1.0

mA

І ГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішній опір воріт

1.7

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V,f=100kHz, В ГЕ =0V

38.1

нФ

Cres

Обратний перевод Кваліфікація

0.66

нФ

QG

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15…+15V

2.52

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =25o C

154

n

t прут

Час підйому

45

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

340

n

t f

Час осені

76

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

13.4

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

8.08

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =125o C

160

n

t прут

Час підйому

49

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

388

n

t f

Час осені

112

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.6

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.2

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =150o C

163

n

t прут

Час підйому

51

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

397

n

t f

Час осені

114

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

18.7

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

D1/D4 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.60

2.05

В

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.60

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.60

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=5350A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =25o C

20.1

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

250

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.84

mJ

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=5080A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =125o C

32.5

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

277

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.5

mJ

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =150o C

39.0

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

288

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

14.0

mJ

D2/D3 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.60

2.05

В

І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.60

І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.60

D5/D6 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.60

2.05

В

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.60

І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.60

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=5050A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =25o C

18.6

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

189

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

5.62

mJ

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=4720A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =125o C

34.1

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

250

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

Qпрут

Відновили Заряд

В Прут = 600 В,I F = 225A,

-di/dt=4720A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =150o C

38.9

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

265

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.2

mJ

НТК Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

Прут 25

Намінальна опірність

5.0

∆R/R

Відхилення з Прут 100

T C=100o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Дисипація потужності

20.0

мВт

B 25/50

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/50(1/T) 21/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/80(1/T) 21/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/100(1/T) 2 1/(298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

LСЕ

Індуктивність відхилення

15

nH

Прут thJC

З'єднання-до-Корпусу (за T1 -T4 IGBT) З'єднання-до-Корпусу (за D1/D4 D йод) З'єднання-до-Корпусу (за D2/D3 D йод) З'єднання-до-Корпусу (за D5/D6 D йод)

0.070 0.122 0.156 0.122

К/В

Прут thCH

Корпус-до-Радіатора (за T 1-T4 IGBT) Корпус-до-Радіатора (за D1/D4 Диод) Корпус-до-Радіатора (за D2/D3 Диод) Корпус-до-Радіатора (за D5/D6 Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

К/В

Хв

Монометричний момент; Шруб:M5

3.0

5.0

Н.М

G

Вага з Модуль

250

g

Контур

Схема еквівалентного кола

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Пов’язаний товар

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда продажів чекає на ваші консультації.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.

Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000