Коротке представлення
IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER .1200В 275А.
Особливості
-
Низький VCE (присутність) Технологія IGBT траншеї
-
ВЦЕ (Сітат) з позитивний температура коефіцієнт
-
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
- Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
-
Ізольований використання мідної пластини Si3 N4 Технологія AMB
Типові застосування
Сонячна енергія
3-сторонні- застосування
Абсолютно Максимальний Рейтинги T F =25o C якщо тільки інакше зазначено
T1-T4 IGBT
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В CES |
Напруження колектора-еміттера |
1200 |
В |
В ГЕС |
Напруження шлюзового випромінювача |
±20 |
В |
І CN |
Застосований Колектор C рент |
275 |
А |
І C |
Струм колектора @ T C=100o C |
110 |
А |
І См |
Імпульсний колекторний струм t p =1 мс |
450 |
А |
Діод D1/D4
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В РРМ |
Повторювальна пікова зворотна напруга вік |
1200 |
В |
І ФН |
Застосований Прямий Потік відсоток |
275 |
А |
І F |
Діод Безперервний прямий Cu rrent |
300 |
А |
І ЗМ |
Максимальний прямий струм діода t p =1 мс |
450 |
А |
Діод D2/D3
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В РРМ |
Повторювальна пікова зворотна напруга вік |
1200 |
В |
І ФН |
Застосований Прямий Потік відсоток |
275 |
А |
І F |
Діод Безперервний прямий Cu rrent |
225 |
А |
І ЗМ |
Максимальний прямий струм діода t p =1 мс |
450 |
А |
Діод D5/D6
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В РРМ |
Повторювальна пікова зворотна напруга вік |
1200 |
В |
І ФН |
Застосований Прямий Потік відсоток |
275 |
А |
І F |
Діод Безперервний прямий Cu rrent |
300 |
А |
І ЗМ |
Максимальний прямий струм діода t p =1 мс |
450 |
А |
Модуль
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
T jmax |
Максимальна температура перетину |
175 |
o C |
T джоп |
Теплота роботи з'єднання |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Діапазон температур зберігання |
-40 до +125 |
o C |
В ISO |
Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min |
3200 |
В |
T1-T4 IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
В CE (Сі)
|
Збирач до випускача Насичення напруги
|
І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
В
|
І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =125o C |
|
2.70 |
|
І C= 225A,V ГЕ =15В, T j =150o C |
|
2.90 |
|
В ГЕ (th) |
Порог шлюзового випромінювача Напруга |
І C=9.00mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
І CES |
Колекціонер Розрізаний —ЗВІЛЕНО Струм |
В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
І ГЕС |
Витік шлюзового емітера Струм |
В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нА |
Прут Гінт |
Внутрішній опір воріт |
|
|
1.7 |
|
о |
Cies |
Вхідна емкості |
В СЕ =25V,f=100kHz, В ГЕ =0V |
|
38.1 |
|
нФ |
Cres |
Обратний перевод Кваліфікація |
|
0.66 |
|
нФ |
QG |
Зарахування за ворота |
В ГЕ =-15…+15V |
|
2.52 |
|
мК |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =25o C
|
|
154 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
45 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
340 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
76 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання Потерпіла |
|
13.4 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення Потерпіла |
|
8.08 |
|
mJ |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =125o C
|
|
160 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
49 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
388 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
112 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання Потерпіла |
|
17.6 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення Потерпіла |
|
11.2 |
|
mJ |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C= 225A, Прут G=2Ω,V ГЕ =-8/+15В, LС =36nH ,T j =150o C
|
|
163 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
51 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
397 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
114 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання Потерпіла |
|
18.7 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення Потерпіла |
|
12.0 |
|
mJ |
D1/D4 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
В F
|
Диод наперед Напруга |
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
В
|
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=5350A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =25o C
|
|
20.1 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
250 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
6.84 |
|
mJ |
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=5080A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =125o C
|
|
32.5 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
277 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
11.5 |
|
mJ |
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=4930A/μs,V ГЕ =-8В LС =36nH ,T j =150o C
|
|
39.0 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
288 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
14.0 |
|
mJ |
D2/D3 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
В F
|
Диод наперед Напруга |
І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
В
|
І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
І F = 225A,V ГЕ =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
В F
|
Диод наперед Напруга |
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
В
|
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
І F = 300A,V ГЕ =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=5050A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =25o C
|
|
18.6 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
189 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
5.62 |
|
mJ |
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=4720A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =125o C
|
|
34.1 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
250 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
11.4 |
|
mJ |
Qпрут |
Відновили Заряд |
В Прут = 600 В,I F = 225A,
-di/dt=4720A/μs,V ГЕ =-8В LС =30nH ,T j =150o C
|
|
38.9 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
265 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
13.2 |
|
mJ |
НТК Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
Прут 25 |
Намінальна опірність |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Відхилення з Прут 100 |
T C=100o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Дисипація потужності |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
Значення B |
Прут 2=R 25екп [B 25/50(1/T) 2—1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
Значення B |
Прут 2=R 25екп [B 25/80(1/T) 2—1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
Значення B |
Прут 2=R 25екп [B 25/100(1/T) 2— 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
LСЕ |
Індуктивність відхилення |
|
15 |
|
nH |
|
Прут thJC
|
З'єднання-до-Корпусу (за T1 -T4 IGBT) З'єднання-до-Корпусу (за D1/D4 D йод) З'єднання-до-Корпусу (за D2/D3 D йод) З'єднання-до-Корпусу (за D5/D6 D йод) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
К/В
|
|
Прут thCH
|
Корпус-до-Радіатора (за T 1-T4 IGBT) Корпус-до-Радіатора (за D1/D4 Диод) Корпус-до-Радіатора (за D2/D3 Диод) Корпус-до-Радіатора (за D5/D6 Диод) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
К/В
|
Хв |
Монометричний момент; Шруб:M5 |
3.0 |
|
5.0 |
Н.М |
G |
Вага з Модуль |
|
250 |
|
g |