Коротке представлення
IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER. 1200В 200А.
Особливості
- Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
- можливість короткого заклику 10 мкм
- VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
- Максимальна температура з'єднання 175oC
- Низька індуктивність корпусу
- Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
- Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC
Типові застосування
- Інвертори для моторного приводу
- Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
- Джерело живлення без перерв
Абсолютно Максимальний Рейтинги T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
IGBT
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В CES |
Напруження колектора-еміттера |
1200 |
В |
В ГЕС |
Напруження шлюзового випромінювача |
±20 |
В |
І C |
Струм колектора @ T C=25o C
@ T C=100o C
|
340
200
|
А |
І См |
Імпульсний колекторний струм t p =1 мс |
400 |
А |
PD |
Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C |
1190 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
В РРМ |
Повторювальна пікова зворотна напруга вік |
1200 |
В |
І F |
Діод Безперервний прямий Cu rrent |
200 |
А |
І ЗМ |
Максимальний прямий струм діода t p =1 мс |
400 |
А |
Модуль
Символ |
ОПИС |
Значення |
ОДИНИЦЯ |
T jmax |
Максимальна температура перетину |
175 |
o C |
T джоп |
Теплота роботи з'єднання |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Діапазон температур зберігання |
-40 до +125 |
o C |
В ISO |
Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
|
В CE (Сі)
|
Збирач до випускача
Насичення напруги
|
І C=200A,V ГЕ =15В, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
В
|
І C=200A,V ГЕ =15В, T j =125o C |
|
1.95 |
|
І C=200A,V ГЕ =15В, T j =150o C |
|
2.00 |
|
В ГЕ (th) |
Порог шлюзового випромінювача Напруга |
І C=8.0mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
І CES |
Колекціонер Розрізаний —ЗВІЛЕНО
Струм
|
В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
І ГЕС |
Витік шлюзового емітера Струм |
В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нА |
Прут Гінт |
Внутрішня ворота опору ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа |
|
|
3.75 |
|
о |
Cies |
Вхідна емкості |
В СЕ =25V, f=1MHz,
В ГЕ =0V
|
|
20.7 |
|
нФ |
Cres |
Обратний перевод
Кваліфікація
|
|
0.58 |
|
нФ |
QG |
Зарахування за ворота |
В ГЕ =- 15...+15В |
|
1.55 |
|
мК |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=1. 1Ω, V ГЕ =±15В, T j =25o C
|
|
150 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
32 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
330 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
93 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання
Потерпіла
|
|
9.7 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення
Потерпіла
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=1. 1Ω, V ГЕ =±15В, T j =125o C
|
|
161 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
37 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
412 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
165 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання
Потерпіла
|
|
20.2 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення
Потерпіла
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (увімкнено ) |
Час затримки включення |
В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=1. 1Ω, V ГЕ =±15В, T j =150o C
|
|
161 |
|
n |
t прут |
Час підйому |
|
43 |
|
n |
t d(off) |
Вимкнення Час затримки |
|
433 |
|
n |
t f |
Час осені |
|
185 |
|
n |
Eувімкнено |
Вмикнення Перемикання
Потерпіла
|
|
22.4 |
|
mJ |
EзВІЛЕНО |
Вимкнення
Потерпіла
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
І SC
|
Дані SC
|
t P≤10μs, В ГЕ =15В,
T j =150o C,V CC =800V, В CEM ≤ 1200В
|
|
800
|
|
А
|
Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Умови випробування |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
Одиниці |
|
В F
|
Диод наперед
Напруга
|
І F =200A,V ГЕ =0V,T j =25o C |
|
2.40 |
2.90 |
В
|
І F =200A,V ГЕ =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
І F =200A,V ГЕ =0V,T j =150o C |
|
1.80 |
|
Qпрут |
Відшкодований заряд |
В Прут = 600 В,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ГЕ =- 15В T j =25o C
|
|
20.3 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
160 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
8.0 |
|
mJ |
Qпрут |
Відшкодований заряд |
В Прут = 600 В,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ГЕ =- 15В T j =125o C
|
|
38.4 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
201 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
14.2 |
|
mJ |
Qпрут |
Відшкодований заряд |
В Прут = 600 В,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ГЕ =- 15В T j =150o C
|
|
44.2 |
|
мК |
І RM |
Вертикальний пік
Отримання потоку
|
|
212 |
|
А |
Eрекомендації |
Обертаний відновлення Енергія |
|
15.6 |
|
mJ |
Модуль Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено
Символ |
Параметр |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
ОДИНИЦЯ |
LСЕ |
Індуктивність відхилення |
|
|
20 |
nH |
Прут CC+EE |
Опір виводу модуля, термінал до чіпа |
|
0.35 |
|
mΩ |
Прут thJC |
Зв'язок до справи (на IGB) T)
З'єднання до корпусу (на Di) од)
|
|
|
0.126
0.211
|
К/В |
|
Прут thCH
|
Категорія до теплового раковини (на IGBT)
Корпус до радіатора (pe р Діода)
Корпус до радіатора (за М одулем)
|
|
0.032
0.053
0.010
|
|
К/В |
Хв |
Термінальний момент підключення, Шуруп M6 Монометричний момент; Шуруп M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
G |
Вага з Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
