GD100PFX170C6SG, Модуль IGBT, STARPOWER

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 1700В 100А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
можливість короткого заклику 10 мкм
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Інвертори для моторного приводу
Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Інвертор IGBT

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1700	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 o C @ T C =100 o C	161 100	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t p =1 мс	200	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T j =175 o C	592	W

Інвертор диодів

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга вік	1700	В
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	100	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t p =1 мс	200	A

Діод-прямувач

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга вік	1800	В
Я O	Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда	100	A
Я ФСМ	Імпульсний прямий струм t p =10мс @ T j = 25o C @ T j =150 o C	1600 1400	A
Я 2т	Я 2t-значення,t p =10мс @ T j =25 o C @ T j =150 o C	13000 9800	A 2с

Модуль

Символ	Опис	Значення	Одиниця
Т jmax	Максимальна температура сполучень (інвертор) Максимальна температура сполучення (прямувач)	175 150	o C
Т джоп	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	o C
Т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	o C
В Iso	Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min	4000	В

IGBT -інвертор Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =100A,V ГЕ =15В, Т j =25 o C		1.85	2.20	В
		Я C =100A,V ГЕ =15В, Т j =125 o C		2.25
		Я C =100A,V ГЕ =15В, Т j =150 o C		2.35
В ГЕ (tH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =4,0 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т j =25 o C	5.6	6.2	6.8	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т j =25 o C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т j =25 o C			400	нА
R Гінт	Внутрішній опір воріт			7.5		о
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		12.0		нФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		0.29		нФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =-15 …+15В		0.94		мК
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =100A, R G = 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Л С =46 nH , Т j =25 o C		257		n
т r	Час підйому			47		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			377		n
т ф	Час осені			382		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			24.6		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			16.7		mJ
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =100A, R G = 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Л С =46нГ, T j =125 o C		284		n
т r	Час підйому			56		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			444		n
т ф	Час осені			555		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			34.9		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			23.1		mJ
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =100A, R G = 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Л С =46нГ, T j =150 o C		286		n
т r	Час підйому			60		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			465		n
т ф	Час осені			636		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			38.0		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			26.1		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤10μs, В ГЕ =15В, Т j =150 o C,V CC =1000V, В CEM ≤ 1700В		400		A

Диод -інвертор Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =100A,V ГЕ =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	В
		Я Ф =100A,V ГЕ =0V,T j =1 25o C		1.90
		Я Ф =100A,V ГЕ =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =100A, -di/dt=1590A/μs,V ГЕ =-15В Л С =46 nH , Т j =25 o C		13.3		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			107		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			8.79		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =100A, -di/dt=1300A/μs,V ГЕ =-15В Л С =46нГ, T j =125 o C		25.0		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			111		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			18.6		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =100A, -di/dt=1230A/μs,V ГЕ =-15В Л С =46нГ, T j =150 o C		28.0		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			112		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			20.4		mJ

Диод -випрямляч Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я C =100A, Т j =150 o C		0.85		В
Я R	Зворотний струм	Т j =150 o C,V R =1800V			3.0	mA

НТК Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
∆R/R	Відхилення of R 100	Т C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
R thJC	З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT -інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер)			0.253 0.424 0.289	К/В
R thCH	ПРИКЛАД -до -Радіатор (наIGBT -інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) Категорія до теплового раковини (на Модуль)		0.105 0.176 0.120 0.009		К/В
М	Монометричний момент; Шруб:M5	3.0		6.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		g