YMIBH250-33, IGBT Modülü, Yarı Köprü IGBT, CRRC

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Değer

BİRİM

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

TC= 25 °C

± 20

V

Ic

Kollektör-emiter akımı

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Zirve kollektör akımı

tp=1ms

500

A

Pmax

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kw

I2t

Diyot I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı - modül başına

( Ortak terminaller taban plaka), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Kısmi deşarj - modül başına

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

ICES

Kollektör kesme akımı

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Kapı sızıntı akımı

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Kapı eşik voltajı

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu voltaj

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diyot ileri akımı

DC

250

A

IFRM

Diyot tepe ileri akımı

tp = 1ms

500

A

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Kısa devre akımı

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Kollektör kesme akımı

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Kapı sızıntı akımı

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Kapı eşik voltajı

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu

voltaj

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diyot ileri akımı

DC

250

A

IFRM

Diyot tepe ileri akımı

tp = 1ms

500

A

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Kısa devre akımı

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

t d (((off)

Kapatma gecikme süresi

IC =250A,

V CE = 1800V, V GE = ±15V, Çubuk G(OFF) = 9.0Ω , CGE = 56nF,

LS = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

ns

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Sonbahar zamanı

T vj = 25 °C

1280

ns

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

EOFF

Kapatma enerji kaybı

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

IC =250A,

V CE = 1800V, V GE = ±15V, Çubuk G(ON) = 6.0Ω , CGE = 56nF,

LS = 150nH,

T vj = 25 °C

640

ns

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t çubuk

Kalkma zamanı.

T vj = 25 °C

220

ns

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

EAçık

Açılma enerjisi kayıp

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

S rR

Diyot ters

geri Kazanım Yükü

IF =250A,

V CE = 1800V,

- d i F /dt = 1200A/us, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

IrR

Diyot ters

geri kazanım akımı

T vj = 25 °C

185

A

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E- Bilmiyorum.

Diyot ters

geri kazanım enerjisi

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410