Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD400HTX120P4SA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V400A Paket:P4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HTX120P4SA
  • Tanıtım
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plakası

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

ECN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

400

K

EC

Toplayıcı Akımı @ T F =25ü C @ T F =75ü C

400

300

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

800

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

1500

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EFN

Uygulanan Forward Cu kiralık

400

K

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=300A,V GE =15V, T j =25ü C

1.50

1.95

V

EC=300A,V GE =15V, T j =125ü C

1.60

EC=300A,V GE =15V, T j =150ü C

1.65

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.3

5.8

6.3

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

1.16

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =15V

3.11

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, LS =25nH ,T j =25ü C

74

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

31

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t f

Sonbahar zamanı

255

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

4.01

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.9

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125ü C

81

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

34

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t f

Sonbahar zamanı

397

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

7.40

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150ü C

82

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

425

ns

t f

Sonbahar zamanı

434

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

8.90

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

35.2

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

K

Diyot Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =300A,V GE =0V,T j =25ü C

1.70

2.15

V

EF =300A,V GE =0V,T j =125ü C

1.70

EF =300A,V GE =0V,T j =150ü C

1.70

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=10600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25ü C

15.0

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

391

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.40

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=9600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125ü C

24.0

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

457

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.4

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150ü C

29.0

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

488

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

23.2

mJ

NTC Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 ü Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

△p

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

△V/ △t=10.0 dm 3/dK ;T F =25ü C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

100

mbar

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

çubuk

Y CE

Savrulan endüktansa

14

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.80

mΩ

Çubuk thJF

Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)

0.100 0.125

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

1250

e

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000