Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD400HFF120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Düşük değişim kayıpları
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C

@ T C=90o C

620

400

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

800

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C

2272

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=400A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=400A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

IC=400A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC= 10.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.9

ω

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=400A, Çubuk G=0.38Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

1496

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

200

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

1304

ns

t f

Sonbahar zamanı

816

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

27.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

20.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=400A, Çubuk G=0.38Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

1676

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

252

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

1532

ns

t f

Sonbahar zamanı

872

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

41.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

23.6

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=400A, Çubuk G=0.38Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

1676

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

260

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

1552

ns

t f

Sonbahar zamanı

888

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

46.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

24.0

mJ

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

180

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.8

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

264

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

19.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

284

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

22.6

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

15

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.25

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.066

0.093

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000