IGBT modülü YMIF250-65, Yüksek gerilim, tek IGBT,CRRC

Parametre

Sembolik

Koşullar

min

max

Birim

Kollektör-Emiter voltaj

V CES

V GE =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DC kolektör akımı

Ben C

T C =80°C

250

A

Zirve kollektör akımı

Ben CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Kapı-Emitör Voltajı

V GES

-20

20

V

Toplam güç dağılım

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC İleri Akım

Ben F

250

A

Zirve ileri akım

Ben FRM

tp=1ms

500

A

IGBT kısa dEVRE SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V GE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ sahip

İzolasyon voltajı

V i̇zol

1 dakikada, f=50Hz

10200

V

Çapraz sıcaklık

T vj

125

℃

Junction çalışma sıcaklığı

T vj(op)

-50

125

℃

Kasa sıcaklığı

T C

-50

125

℃

Depolama Sıcaklığı

T sTG

-50

125

℃

Montaj torkları

Bayan

4

6

Nm

M T1

8

10

Parametre

Sembolik

Koşullar

Min

tUR

max

Birim

Toplayıcı (- emici) kopma voltajı

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Kollektör-Emiter doyma voltaj

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Toplayıcı kesme akımı

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Kapı sızıntı akımı

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Geçit-Bölücü Sınırı voltaj

V GE(th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Açma Gecikme Zamanı

t d(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载 (duygu yükü)

Tvj = 25 °C

1

μ sahip

Tvj = 125 °C

0.94

Yükseliş time

- Evet.

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Kapatma gecikme süresi

t d (((off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ sahip

Tvj = 125 °C

4.2

Sonbahar zamanı

t f

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Açma Anahtarlama kayıp enerji

Eon

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

Kapatma Değiştirme kayıp enerji

E oFF

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

Kısa devre akımı

Ben SC

tpsc ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A