Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD600HFX120C2SA ,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 600A, Paket:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 600A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • HPS DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır tabaka

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

Geçici kapı-vericiler voltajı

±20 ±30

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

925

600

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1200

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

3000

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

600

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1200

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =600A,V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

B C =600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

B C =600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.25

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.84

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, Çubuk G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

339

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

468

ns

t f

Sonbahar zamanı

168

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

63.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

56.4

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, Çubuk G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

418

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

135

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

567

ns

t f

Sonbahar zamanı

269

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

108

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

72.3

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, Çubuk G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

446

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

151

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

602

ns

t f

Sonbahar zamanı

281

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

123

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

78.2

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

B F =600A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

B F =600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=5210A⁄μs,V GE =-15V, L S =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

300

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

24.1

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=3490A⁄μs,V GE =-15V, L S =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

314

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

33.8

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=3080A⁄μs,V GE =-15V, L S =34nH ,T j =150o C

102

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

318

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

36.8

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.050 0.080

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000