Y65ZPA-B,Kapsülsüz Kaynak Diyodu

Ben T(AV)

13500A

V DRM v RRM

200V 400V

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( 。C)

Değer

Birim

Min

TUR

Max

IF(AV)

Ortalama ileri akım

180。yarım sinüs dalgası 50Hz

Çift yan soğutmalı, TC=85 。C

175

13500

A

VRRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Tekrarlayan tepe akımı

vRRM'de

175

75

mA

IFSM

Aşırı Akım

10ms yarım sinüs dalgası VR=0VRRM

175

85

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

36000

103A2s

VFO

Sınır Voltajı

IFM=10000-30000A

175

0.76

V

rF

İleri eğim direnci

0.021

mΩ

VFM

Maks. Pik açık durum voltajı

IFM=6000A

25

0.90

V

Qrr

Geri Kazanım Yükü

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

1800 sinüs, çift taraflı soğutmalı

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile ısı emici arasında

0.002

Fm

Montaj kuvveti

55

65

80

kN

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

175

。C

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

175

。C

Wt

Ağırlık

160

g

Çizelge

Z58T