Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 400A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Düşük değişim kayıpları
- 6μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
-
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
-
Morphit Si kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka 3N 4AMB teknolojisi
Tipik Uygulamalar
- Otomotiv uygulama
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
400 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T F =120 o C |
250 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
800 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T j =175 o C |
1010 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj gE |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
400 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
250 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
800 |
A |
Ben 2t |
Ben 2t-değeri,t p =10ms @ T j =125 o C @ T j =150 o C |
17860
15664
|
A 2sahip |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli
Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben
|
-40 ile +150 arasında +150 ile +175 |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
3000 |
V |
IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
Ben C =250A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.45 |
1.80 |
V
|
Ben C =250A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
1.65 |
|
Ben C =250A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
1.70 |
|
Ben C =380A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.70 |
|
Ben C =380A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.15 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
2.4 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V
|
|
33.6 |
|
nF |
C - Evet. |
Çıkış Kapasitesi |
|
1.43 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.82 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V CE =600V,I C =250A, V GE =-8…+15V |
|
1.98 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =250A, R G =2.2Ω, L Sahip =24 nH ,V GE =-8V/+15V,
T j =25 o C
|
|
231 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
50 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
545 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
172 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
19.6 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
23.2 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =250A, R G =2.2Ω, L Sahip =24 nH ,V GE =-8V/+15V,
T j =125 o C
|
|
241 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
57 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
619 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
247 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
26.6 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
28.7 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =250A, R G =2.2Ω, L Sahip =24 nH ,V GE =-8V/+15V,
T j =150 o C
|
|
245 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
57 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
641 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
269 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
30.1 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
30.9 |
|
mJ |
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤6μs, V GE =15V,
T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1200 |
|
A |
Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj
|
Ben F =250A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.50 |
1.90 |
V
|
Ben F =250A,V GE =0V,T j =1 25o C |
|
1.45 |
|
Ben F =250A,V GE =0V,T j =1 50o C |
|
1.40 |
|
Ben F =380A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.65 |
|
Ben F =380A,V GE =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =250A,
-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =25 o C
|
|
9.10 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
160 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
4.39 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =250A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =125 o C
|
|
21.4 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
192 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
8.43 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =250A,
-di⁄dt=4120A⁄μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =150 o C
|
|
25.7 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
203 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
9.97 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.75 |
|
mΩ |
△ p |
△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C |
|
64 |
|
mbar |
p |
Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk |
|
|
2.5 |
bar |
R thJF |
Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) |
|
|
0.099 0.128 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
750 |
|
g |
EN
