GD3600SGT120C4S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

GD3600SGT120C4S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

@ T C=25℃

@ T C=80℃

4800

K

3600

ECm (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms

7200

K

EF

Diyot Sürekli İleri Akım

3600

K

EFm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

7200

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175℃

16.7

kw

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

℃

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

℃

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

1.8 ile 2.1

Güç Terminal Vida:M8

8.0'dan 10

N.M

Tork

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

T j =25℃

1200

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları

Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Gerilim

EC=145mA ,V CE =V GE ,T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=3600A,V GE =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

EC=3600A,V GE =15V, T j =125℃

2.00

2.45

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

35.0

μC

Çubuk Gint

Dahili Kapı Direnci

T j =25℃

0.5

ω

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=3600A, Çubuk Git =0.8Ω,

Çubuk Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

235

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

825

ns

t f

Sonbahar zamanı

145

ns

Eaçık

Aç Değişim Kaybı

/

mJ

EoFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

/

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=3600A, Çubuk Git =0.8Ω,

Çubuk Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125℃

665

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

215

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

970

ns

t f

Sonbahar zamanı

180

ns

Eaçık

Aç Değişim Kaybı

736

mJ

EoFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

569

mJ

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

258

nF

C- Evet.

Çıkış Kapasitesi

13.5

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

11.7

nF

ESC

SC Verileri

t S C≤10 μs,V GE =15V, T j =125℃v CC =900V, V CEM ≤1200V

14000

K

Y CE

Savrulan endüktansa

10

nH

Çubuk CC ’+EE ’

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.12

m ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =3600A

T j =25℃

1.65

2.15

V

T j =125℃

1.65

2.15

S çubuk

Geri Alınan Ücret

EF =3600A,

V Çubuk =600V,

Çubuk Git =0.8Ω,

V GE =- 15V

T j =25℃

360

μC

T j =125℃

670

ERM

Ters Çıkarma Akım

T j =25℃

2500

K

T j =125℃

3200

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

T j =25℃

97

mJ

T j =125℃

180

Sembolik

Parametre

Tipik.

Maks.

Birimler

Çubuk θ JC

İlişki (İGB başına) T)

9.0

K/kW

Çubuk θ JC

Diyot için Kasa'ya Bağlantı (per Dio de)

15.6

K/kW

Çubuk θ CS

Çuvaldan Dökme

(İletken yağ uygulanmış, per M odül)

4

K/kW

Ağırlık

Ağırlık nın Modül

2250

e