Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD450HFX120C6SA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiş. 1200V 450A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT teknoloji
  • 10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim
  • V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175ü C
  • Düşük endüktans durum
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve elektrikli ve hicle
  • Motor için inverter l rIV
  • Kesintisiz güç çubuk tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

680

450

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

900

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

2173

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

450

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

900

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

2500

V

IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=450A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=450A,V GE =15V, T j =125ü C

1.95

EC=450A,V GE =15V, T j =150ü C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC= 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25ü C

5.2

5.8

6.4

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.7

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.31

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk E= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25ü C

203

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

64

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

491

ns

t f

Sonbahar zamanı

79

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

16.1

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

38.0

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk E= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125ü C

235

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

75

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

581

ns

t f

Sonbahar zamanı

109

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

27.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

55.5

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk E= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 150ü C

235

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

75

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

621

ns

t f

Sonbahar zamanı

119

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

30.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

61.5

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1800

K

Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =450A,V GE =0V,T j =25ü C

1.85

2.30

V

EF =450A,V GE =0V,T j = 125ü C

1.90

EF =450A,V GE =0V,T j = 150ü C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25ü C

55.2

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

518

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

26.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125ü C

106

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

633

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

47.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150ü C

121

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

661

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

53.9

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 ü C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.069

0.108

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

350

e

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000