i̇gbt tipi
İzoleli Kapı Bipolar Transistör (IGBT), Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör (MOSFET) ile Bipolar Jonksiyon Transistörünün (BJT) yüksek akım ve düşük doygunluk voltajı yeteneklerini birleştiren bir güç elektroniği cihazıdır. Ana işlevleri, çeşitli uygulamalarda elektrik akımının akışını anahtarlamak ve kontrol etmektir. Teknolojik olarak, IGBT, giriş için bir Metal-Oksit-Yarı İletken (MOS) yapısına ve çıkış için bir bipolar jonksiyona sahiptir, bu da hem voltajları hem de akımları verimli bir şekilde yönetmesine olanak tanır. Bu yarı iletken cihaz, yüksek güç seviyelerini üstün verimlilik ve güvenilirlik ile yönetme yeteneği nedeniyle elektrikli araçlar, demiryolu çekiş sistemleri, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji sistemleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.