IGBT-modul GD820HTA75P6HT Starpower

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

820

A

IC

Samlarström @ T F =100o C

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1640

A

PD

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T j =175o C

847

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

750

V

IFN

Implementerad samlare Cu rent

820

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1640

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.15

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =175o C

1.15

IC=820A,V Generella =15V, T j =25o C

1.30

IC=820A,V Generella =15V, T j =175o C

1.50

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.9mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =50V,f=100kHz, V Generella =0V

72.3

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

1.51

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.32

nF

QG

Portavgift

V CE =400V,I C = 450 A, V Generella =-15…+15V

4.77

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =25o C

315

n

t r

Uppgångstid

61

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

729

n

t f

Hösttid

70

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.4

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

18.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =150o C

338

n

t r

Uppgångstid

74

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

826

n

t f

Hösttid

151

n

Epå

Tänd Växling Förlust

20.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

25.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =175o C

343

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

846

n

t f

Hösttid

171

n

Epå

Tänd Växling Förlust

25.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

27.3

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P≤3μs, V Generella =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A,V Generella =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A,V Generella =0V,T j =175o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7760A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =25o C

10.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

287

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.83

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6300A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =150o C

25.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

341

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.32

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=5990A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T j =175o C

30.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

354

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

10.6

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40o C

T basplatta 40o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt – till – Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g