YMIBD500-33, IGBT-modul, Dubbel switch IGBT, CRRC

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(value)

(enhet)

VCES

Kollektor-emitterspänning

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

I C

Kollektor-sändare ström

T = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C ((PK)

Spetsström för kollektorn

1ms, T fall = 140 °C

1000

A

P max

Max. strömförlust från transistorn

Tvj = 150°C, T-fallet = 25 °C

5.2

kW

I 2t

Diod I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Isoleringsspänning per modul

Gemensamma terminaler till basplatta),

AC RMS,1 min, 50 Hz

6000

V

Q PD

Delutsläpp per modul

IEC1287. V1 = 3500V, V2 = 2600V, 50 Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T fall = 25 ° C T fall = 25° C om inte uppgiven i annat fall

(Symbol )

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Enhet )

Jag CES

Kollektorns avskärmningsström

V Generella = 0V, V Ce = V CES

1

mA

V Generella = 0V, V Ce = V CES , T fall = 125 °C

30

mA

V Generella = 0V, V Ce = V CES , T fall =150 °C

50

mA

Jag GES

Portläckage nuvarande

V Generella = ± 20 V, V Ce = 0V

1

μA

V Generella (TH)

Porttröskelspänning

Jag C = 40 mA , V Generella = V Ce

5.50

6.10

7.00

V

V Ce (satt )*1)

Kollektor-emitter-mättnad spänning

V Generella =15V, Jag C = 500A

2.40

2.90

V

V Generella =15V, Jag C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V Generella =15V, Jag C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

Jag F

Diodström framåt

DC

500

A

Jag Från och med den 1 januari

Diodens maximala framåtsträcka nuvarande

t P = 1 ms

1000

A

V F *1)

Diodens framåtspänning

Jag F = 500A

2.10

2.60

V

Jag F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

Jag F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce = 25 V, V Generella = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q g

Portavgift

± 15 V

9

μC

C res

Omvänd överföringskapacitet citat

V Ce = 25 V, V Generella = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Modul induktans

25

nH

R INT

Intern resistans för transistor

310

μΩ

Jag SC

Kortslutning ström, Jag SC

T vj = 150°C, V CC = 2500 V, V Generella ≤ 15 V, t p ≤ 10 μs,

V Ce (max ) = V CES – L (i) × di /dt ,IEC förpackningar för

1800

A

avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n

t f

Hösttid

520

n

E OFF

Energiförlust vid avstängning

780

mJ

td (på)

Tidsfördröjning för på-

650

n

t

Uppgångstid

260

n

EON

Energiförlust vid påstart

730

mJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

390

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

420

A

Erec

Diodens återvinning av energi

480

mJ

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(Min)

(typ)

(Max)

(enhet)

avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n

t f

Hösttid

550

n

E OFF

Energiförlust vid avstängning

900

mJ

td (på)

Tidsfördröjning för på-

630

n

t

uppgångstid Uppgångstid

280

n

EON

Energiförlust vid påstart

880

mJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

620

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

460

A

Erec

Diodens återvinning av energi

760

mJ

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(Min)

(typ)

(Max)

(enhet)

avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n

t f

Hösttid

560

n

E OFF

Energiförlust vid avstängning

1020

mJ

td (på)

Tidsfördröjning för på-

620

n

t

Uppgångstid

280

n

EON

Energiförlust vid påstart

930

mJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

720

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

490

A

Erec

Diodens återvinning av energi

900

mJ