Y50KFE, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55℃

125

1494

A

TC=70℃

1243

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

1800

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

80

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1445

A2s* 103

VTO

Tröskelspänning

125

1.57

V

rt

Påslagsmotstånd

0.21

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A, F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

V

29μs≤tq≤55μs

2.10

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67%VDRM till 1600A,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Återställningsladdning

ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

55

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

3.0

V

IH

Hållström

20

500

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld klämkraft 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.005

FM

Monteringskraft

19

26

kN

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

440

g

Översikt

KT50cT