GD1000HFA120C6S_B39, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag CN

Implementerad samlare Cu rent

1000

A

Jag C

Samlarström @ T F =75 o C

765

A

Jag CRM

Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad av T vjop

2000

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75 o C ,T j = 175 o C

1515

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag FN

Implementerad samlare Cu rent

1000

A

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

765

A

Jag Från och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad av T vjop

2000

A

Jag FSM

Överspännings framström t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

4100

3000

A

Jag 2t

Jag 2t- värde ,t p =10 ms @ T vj =25 o C @ T vj = 150 o C

84000

45000

A 2s

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =1000A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.45

1.90

V

Jag C =1000A,V Generella =15V, T vj =125 o C

1.65

Jag C =1000A,V Generella =15V, T vj = 175 o C

1.80

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 24,0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

51.5

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.36

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

13.6

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T vj =25 o C

330

n

t r

Uppgångstid

140

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

842

n

t f

Hösttid

84

n

E på

Tänd Växling Förlust

144

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

87.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T vj =125 o C

373

n

t r

Uppgångstid

155

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

915

n

t f

Hösttid

135

n

E på

Tänd Växling Förlust

186

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

104

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T vj = 175 o C

390

n

t r

Uppgångstid

172

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

950

n

t f

Hösttid

162

n

E på

Tänd Växling Förlust

209

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

114

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 8 μs,V Generella =15V,

T vj = 150 o C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤ 6 μs,V Generella =15V,

T vj = 175 o C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =1000A,V Generella =0V,T vj =25 o C

1.60

2.05

V

Jag F =1000A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.70

Jag F =1000A,V Generella =0V,T vj = 175 o C

1.60

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

91.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

441

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

26.3

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,

T vj =125 o C

141

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

493

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

42.5

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,

T vj = 175 o C

174

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

536

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

52.4

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC + EE ’

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.066 0.092

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

400

g

P

Maximalt tryck i kylkrets

3

bar

∆p

Tryckfall Kyl Cir svamp

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 o C;Kyl Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol

47

mbar