GD400HFF120C2S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=90o C

620

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =175o C

2272

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T j = 125o C

2.40

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =150o C

2.55

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 10,0 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.9

ω

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

1496

n

t r

Uppgångstid

200

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1304

n

t f

Hösttid

816

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

27.6

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

20.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

1676

n

t r

Uppgångstid

252

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1532

n

t f

Hösttid

872

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

41.6

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

23.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 150o C

1676

n

t r

Uppgångstid

260

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1552

n

t f

Hösttid

888

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

46.0

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

24.0

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 400 A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

20.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

180

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

264

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

19.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

284

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

22.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.066

0.093

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g