Produktkatalog:Ladda ner
Med den snabba utvecklingen inom elbilar, förnybar energi, industriell automatisering och avancerad kraftelektronik blir siliciumkarbid (SiC) krafthalvledare en viktig teknik för nästa generations högeffektiva kraftsystem.
Jämfört med konventionella kiselbaserade komponenter erbjuder SiC-komponenter flera tekniska fördelar, inklusive högre switchfrekvens, lägre switchförluster, högre temperaturkapacitet och förbättrad effekttäthet. Dessa egenskaper bidrar till att förbättra systemeffektiviteten, minska energiförbrukningen och stödja mer kompakta och lättviktiga systemdesigner.
För att möta den växande marknads efterfrågan på högpresterande krafthalvledare utökar vi vårt produktutbud med en komplett sortiment av SiC produkter och lösningar. Vår SiC-produktlinje omfattar:
SiC MOSFET-moduler
Diskreta SiC MOSFET-komponenter
SiC Schottky-barriär-dioder (SBD)
Full-SiC kraftlösningar
Våra produkter kan användas inom ett brett spektrum av industrier och applikationer, inklusive:
Elfordon (EV)
Energilagringssystem (ESS)
Solvärmeomformare
Industriella omvandlare och motordrivsystem
Laddsystem för elbilar
Strömförsörjningsanordningar
Industriella automationssystem
Järnvägs- och högeffektsindustriella applikationer
Vi förstår att kunderna kan ha olika krav när det gäller prestanda, pakettyper, kostnadsoptimering och användning miljöförhållanden. Därför strävar vi, utöver standardprodukter, även efter att stödja kunderna med produktval och applikationsanpassning enligt deras projektkrav.
Medan SiC-tekniken fortsätter att utvecklas och få bredare acceptans på den globala marknaden ser vi fram emot att samarbeta med kunder och partners världen över för att tillhandahålla pålitliga och effektiva SiC-krafthalvledarlösningar för framtida energi- och industriapplikationer.

Egenskaper
Tillämpningar
Symbol |
Parameter |
Värden |
Enhet |
Provning Villkor |
||
Absolut maximum betyg | ||||||
V Ds |
Spännings skillnad mellan utgång och källa |
1200 |
V |
T C=25°C |
||
ID |
Dräneringsström (kontinuerlig) |
900 |
A |
T C=25°C |
||
T J |
Sammanslagningstemperatur |
175 |
。C |
|
||
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
Provning Villkor |
Statisk karaktäristik ics | ||||||
R DS(ON) |
Statisk drain-source på Motstånd |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V GS =18 V; ID=450 A; T C=25°C |
Dynamiska egenskaper | ||||||
QG |
Total gate Laddning |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800 V; V GS =-5/+18 V; ID=450 A; T C=25°C |
QGD |
Spänningsladdning mellan grind och drain |
- |
705 |
- |
||
Source-drain-diod | ||||||
QRr |
Omvänd återhämtning Laddning |
- |
5517 |
- |
nC |
V GS =-5/+18 V; IF =500 A; V R =900 V; Last=100 µH; T J =25°C |
Absolut Maximal Betyg (aT T C=25°C om inte i annat fall angivna )


Hanterad V DS: 50–1700 V I D: 210–1000 A R DS(ON) : 1,3–8,7 mΩ
ED-seriens produktlista
| Produkt SKU | VDS | RDS(on) vid 25 °C | ID |
| ASC800N650ED | 650V | 1,5 mΩ | 800A |
| ASC400N650ED | 650V | 3 mΩ | 400A |
| ASR1P5N1200ED-A | 1200V | 1,3 mΩ | 1000A |
| ASR1P5N1200ED-G | 1200V | 1,3 mΩ | 1000A |
| ASC900N1200ED | 1200V | 1,8 mΩ | 900A |
| ASC800N1200ED | 1200V | 2 mΩ | 800A |
| ASC600N1200ED | 1200V | 2,7 mΩ | 600A |
| ASR2P7N1200ED-X | 1200V | 2,7 mΩ | 430 A |
| ASC400N1200ED | 1200V | 4 mΩ | 400A |
| ASC400N1200EDF | 1200V | 4 mΩ | 400A |
| ASR4N1200ED-X | 1200V | 4 mΩ | 400A |
| ASC300N1200ED | 1200V | 5,3 mΩ | 300A |
| ASR8N1200ED | 1200V | 7,5 mΩ | förpackningar för |
| ASR8N1200EDF | 1200V | 7,5 mΩ | 180A |
| ASR2P2N1700ED-G | 1700V | 1,75 mΩ | 1000A |
| ASC900N1700ED | 1700V | 2,8 mΩ | 900A |
| SCE800N1700ED | 1700V | 3,2 mΩ | 800A |
| SCE 600N1700ED | 1700V | 4,3 mΩ | 600A |
| SCE 600N1700EDH | 1700V | 4,3 mΩ | 600A |
| SCE 500N1700ED | 1700V | 5,2 mΩ | 500A |
| SCE 400N1700ED | 1700V | 6,5 mΩ | 400A |
| SCE 300N1700ED | 1700V | 8,7 mΩ | 300A |
| SCE 300N1700ED | 1700V | 8,7 mΩ | 300A |
Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.