SiC Modul

SCE600R12MA3, SiC-modul,

1200 V, 600 A, 2,7 mΩ

Brand:

SCE

Spu:

SCE600R12MA3

Appurtenance:

Produktbroschyr:LADDA NER

Introduktion
Nyckelparametrar
Produktvalskatalog
Dimensioner och krets

Introduktion

Funktioner

n Industristandard 62 mm Spår

n Ultra Låg Förlust, Höghögfrekvent drift

n Noll Omvänd Återhämtning från dioder

n Noll avslutnings-svansström C ström från MOSFET

n Normalt av Felsäker Enhetsdrift

n Koppar Basplatta och silikon Nitrid Isolator

Tillämpningar

n Hög Frekvensväxling häng Ansökan

n DC/DC-omvandlare

n Solkraft och vindkraft Växelriktare

n UPS och SMPS

n Dragkraft

RoHS(1).png

Nyckelparametrar

Nyckel Parametrar

Symbol	Parameter	Värden			Enhet	Provning Villkor
Absolut maximum betyg
V Ds	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1200			V	T C =25°C
Jag D	Dräneringsström (kontinuerlig)	600			A	T C =25°C
T J	Sammanslagningstemperatur	175			℃
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet	Provning Villkor
Statiska egenskaper
R DS(ON)	Statisk drain-source på Motstånd	-	2.7	3.7	mΩ	V GS =18 V; Jag D =300 A; T C =25°C
Dynamiska egenskaper
Q G	Total gate Laddning	-	1428	-	nC	V DD =800 V; V GS =-5/+18 V; Jag D =300 A; T C =25°C
Q GD	Spänningsladdning mellan grind och drain	-	469	-	nC	V DD =800 V; V GS =-5/+18 V; Jag D =300 A; T C =25°C
Source-drain-diod
Q Rr	Omvänd återhämtning Laddning	-	3678	-	nC	V GS =-5/+18 V; Jag F =300 A; V R =800 V; Last=100 µH; T J =25°C

Absolut Maximal Betyg (på T C =25°C om inte i annat fall angivna )

Symbol	Parameter	Värden	Enhet
V Ds	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1200	V
V GS	Gate-källspännning (dynamisk)	-10/+22	V
Jag D	Dräneringsström (kontinuerlig)	600	A
Jag Dm	Dräneringsström (pulserad)	1200	A
T op ; T sTG	Drift- och lagringstemperaturområde	-40 till +150	℃
T J	Sammanslagningstemperatur	175	℃
R th - Jag är inte säker.	Termal Motstånd, övergång till värmeavledning	0.12	℃/W

Produktvalskatalog

Produktlista	V Ds	R DS(ON) @25℃	Jag D
SCE600R12MA3	1200V	2,7 mΩ	600A
SCE600N1200MA3_F	1200V	2,7 mΩ	600A
SCR2P7N1200MA3_X	1200V	2,7 mΩ	510 A
SCE500N1200MA3	1200V	3,2 mΩ	500A
SCE400N1200MA3	1200V	4 mΩ	400A
SCE400N1200MA3_F	1200V	4 mΩ	400A
SCE300N1200MA3	1200V	5,3 mΩ	300A
SCE300N1200MA3_X	1200V	5,3 mΩ	300A
SCE300N1200MA3_F	1200V	5,3 mΩ	300A
SCR6N1200MA3	1200V	5,3 mΩ	förpackningar för
SCR8N1200MA3	1200V	7,5 mΩ	förpackningar för
SCE200N1200MA3_F	1200V	8 mΩ	200A
SCE200N1200MA3_H	1200V	8 mΩ	200A
SCR9N1200MA3	1200V	9 mΩ	180A
SCE600N1700MA3	1700V	4,3 mΩ	600A
SCE600N1700MA3_H	1700V	4,3 mΩ	600A
SCE400N1700MA3	1700V	6,5 mΩ	400A
SCE400N1700MA3F	1700V	6,5 mΩ	400A
SCE300N1700MA3	1700V	8,7 mΩ	300A
SCE300N1700MA3_F	1700V	8,7 mΩ	300A
SCE200N1700MA3	1700V	13 mΩ	200A
SCE200N1700MA3_H	1700V	13 mΩ	200A

Dimensioner och krets

尺寸.png

电路图.png

Alla kategorier

SiC Modul

SiC Modul

SiC

IGBT-modul

IGBT/FRD-skiva

IGBT Diskret

Högprecision ADC

Högpresterande DAC

Instrumentförstärkare

Högprecision LDO

Spänningsreferenser

Diodmodul

Kapseltyp likriktardiod

Thyristor/diodmodul

MOSFET

Foto MOS Relay

Elektromagnetisk relä

Tidsfördröjd relä

Integrerad regulator

Effektregulator

IGCT-modul

UAV (Vätebränslecell)

SCE600R12MA3, SiC-modul,

Introduktion

Nyckelparametrar

Produktvalskatalog

Dimensioner och krets

RELATERAD PRODUKT

Diodmodul, MDBD1500-33-01 | I-01, FM1500NDM33-D200

GD400HFU120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Y76KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

MRC300-06,Snabb återställningsdiodmodul,TECHSEM

MDS300,Trefasers rättningsbronmodul

JMX-4015M Miniaturiserad tätad magnetiskt låsande relä med två styrvindningar och fyra uppsättningar växlingskontakter, som kan styra 15A, 28V likström. Används för kretsstyrning inom områden såsom automationsstyrning och luft- och rymdfart.

Har du frågor om några produkter?

Alla kategorier

Få ett kostnadsfritt offertförslag

SiC Modul

SiC Modul

SCE600R12MA3, SiC-modul,

Introduktion

Nyckelparametrar

Produktvalskatalog

Dimensioner och krets

Få ett kostnadsfritt offertförslag

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Få ett kostnadsfritt offertförslag