MTx1200 MFx1200,Tyristor/Diode Moduler,Luftkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

MTx1200-06-412F3

MFx1200-06-412F3

800V

MTx1200-08-412F3

MFx1200-08-412F3

1000V

MTx1200-10-412F3

MFx1200-10-412F3

1200V

MTx1200-12-412F3

MFx1200-12-412F3

1400V

MTx1200-14-412F3

MFx1200-14-412F3

1600V

MTx1200-16-412F3

MFx1200-16-412F3

1800V

MTx1200-18-412F3

MFx1200-18-412F3

1800V

MT1200-18-412F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Enkelsidig kyld, TC=60 ℃

125

1200

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1884

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

55

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM,,t=10ms halv sinus,

125

26

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

3380

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.70

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

1.96

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinusformad. Ensidigt kyld per chip

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Vid 180 ° sinusformad. Ensidigt kyld per chip

0.020

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12.0

16.0

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10.0

12.0

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

3660

g

Översikt

412F3