Alla kategorier

Vattenkylning

Vattenkylning

Hemsida /  Produkter /  Tyristor/diode modul  /  Tyristor/likriktarmoduler  /  Vattenkylning

MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Moduler, Vattenkylning

1000A,600V-1800V, 411F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx1000 MFx1000 MT1000
Appurtenance:

Produktbroschyr:Ladda ner

  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

Thyristor/diodmodul e, MTx1000 MFx1000 MT1 1000A ,Vattenkylning producerad av TECHSEM .

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Funktioner

  • Isolerad monteringsbas 3000V~
  • Tryckkontaktteknik med
  • Ökad effektcykelkapacitet
  • Utrymmes- och viktbesparing

Typiska Tillämpningar

  • AC/DC-motordrivrutiner
  • Olika likriktare
  • Samströmförsörjning för PWM-omvänd

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55

125

1000

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1570

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

55

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

26.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

3380

103A 2s

VTO

Tröskelspänning

125

0.81

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.21

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

2.05

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤ 0,5 μs Upprepande

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.048

/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.018

/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

Wt

Vikt

3230

g

Översikt

411F3

Översikt

MFx1000-2.jpg

Ekvivalent krets schema

Equivalent Circuit Schematic.jpg

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett erbjudande

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000