GD600HFX120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20

±30

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

2727

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

2.00

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

55.9

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.57

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.20

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω

- Jag är inte här. S =34nH, V Generella =±15V,T j =25o C

109

n

t r

Uppgångstid

62

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

469

n

t f

Hösttid

68

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

42.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

46.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V Generella =±15V,T j =125o C

143

n

t r

Uppgångstid

62

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

597

n

t f

Hösttid

107

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

56.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

70.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V Generella =±15V,T j =150o C

143

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

637

n

t f

Hösttid

118

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

61.2

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

77.8

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =125o C

2.05

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C

2.10

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

58.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

276

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

109

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

399

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

41.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =- 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

124

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

428

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

48.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.055

0.089

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.032

0.052

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g