Kort introduktion
IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 450A.
Funktioner
-
Låg V CE (satt ) Gräv IGBT teknologi
-
10μs kortslutningskapac itet
-
V CE (satt ) med positiv temperatur koefficient
-
Maximal sammanslagningstemperatur 175o C
-
Låg induktansi case
-
Snabb och mjuk omvänd återhämtning fWD mot parallell
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typisk Tillämpningar
-
Hybrid och el ve hicle
-
Inverterare för motor d riksväg
-
Oavbruten kraft r strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T C =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
680
450
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
900 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
2173 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad toppomvänd spänning |
1200 |
V |
Jag F |
Diod kontinuerlig framåtström hyra |
450 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
900 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagringstemperatur Räckvidd |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare
Mätningsspänning
|
Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C = 11,3 mA,V CE =V Generella ,T j =25o C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd
Nuvarande
|
V CE =V CES ,V Generella =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz,
V Generella =0V
|
|
46.6 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring
Kapacitet
|
|
1.31 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =- 15...+15V |
|
3.50 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,
V Generella =± 15 V, T j =25o C
|
|
203 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
64 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
491 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
79 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
16.1 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
38.0 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,
V Generella =± 15 V, T j = 125o C
|
|
235 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
75 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
581 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
109 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
27.8 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
55.5 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,
V Generella =± 15 V, T j = 150o C
|
|
235 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
75 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
621 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
119 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
30.5 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
61.5 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
1800
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt
Spänning
|
Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 450 A,
-di/dt=6600A/μs,V Generella =- 15 V, T j =25o C
|
|
46 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
428 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
25.2 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 450 A,
-di/dt=6600A/μs,V Generella =- 15 V, T j = 125o C
|
|
87 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
523 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
46.1 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 450 A,
-di/dt=6600A/μs,V Generella =- 15 V, T j = 150o C
|
|
100 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
546 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
52.3 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Avvikelse av R 100 |
T C = 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R tJC |
Förbindelse till fall (per IGB) T)
Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)
|
|
|
0.069
0.108
|
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT)
Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)
Kapsling-till-kylfläns (per M odul)
|
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
350 |
|
g |
EN
