Diodmodul, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

symbol

Symbol

参数名称

Parameter

testvillkor

Testförhållanden

数值

Värde

enhet

Enhet

V RRM

återställ höjdspänning

Upprepad spänning

T C = 25 °C

4500

V

Jag F

strömström

Framström

DC

1200

A

Jag Från och med den 1 januari

strömström

Spetsström framåt

t P = 1 ms

2400

A

Jag FSM

浪涌电流

Överström

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

TBD

A

Jag 2t

Jag 2t värde

Jag 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

530

kA 2s

V isol

isoleringsspänning (模块 )

Isolering spänning - för modul

短接 alla änds, änds och basplatts mellan. (Gemensamma terminaler till bas plattor), AC RMS1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

局部放电电荷 (模块 )

Delvis avlastning - för modul

IEC1287. V 1= 6900V, V 2= 5100V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

symbol

Symbol

参数名称

Parameter

villkor

Testförhållanden

minsta värde Min.

典型值 Typ.

maximala värde

Max.

enhet

Enhet

Jag RRM

återvänd ström

Upprepande omvänd

nuvarande

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =125 °C

50

mA

V F

strömtryck

Framspänning

Jag F = 1200A

2.70

V

Jag F = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

Q rr

omvänd återställningsladdning

Omvänd återhämtning

laddning

V CC = 2800V, Jag F =1200A, - d jag F /dt = en effekt av minst 50 W/cm3

R G(ON) = 1,5Ω ,

C Generella = 220 nF,

L S =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

För att säkerställa att de inte är föremål för förfalskning ska de vara föremål för förfalskning.

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

Jag rr

omvänd återställningsström

Omvänd återhämtning

nuvarande

T vj = 25 °C

1320

A

T vj = 125 °C

1420

A

E rec

omvänt återställningsförlust

Omvänd återhämtning

energi

T vj = 25 °C

2.60

J

T vj = 125 °C

3.90

J