GD100PIX120C6SNA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

155

100

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

511

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1600

V

IO

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

100

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1150

880

A

I2t

I2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

6600

3850

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

87

50

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

100

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

308

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

25

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

50

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=100A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

7.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

218

n

t r

Uppgångstid

35

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

287

n

t f

Hösttid

212

n

Epå

Tänd Växling Förlust

9.23

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

6.85

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

242

n

t r

Uppgångstid

41

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

352

n

t f

Hösttid

323

n

Epå

Tänd Växling Förlust

13.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

9.95

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

248

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

365

n

t f

Hösttid

333

n

Epå

Tänd Växling Förlust

14.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

10.5

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF =100A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

5.89

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

103

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

3.85

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

13.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

109

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.64

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

15.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

109

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.39

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF =100A, T j =150o C

0.95

V

IR

Omvänd ström

T j =150o C,V R =1600V

2.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=50A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=50A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=50A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=2.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

5.18

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

171

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

340

n

t f

Hösttid

82

n

Epå

Tänd Växling Förlust

6.10

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2.88

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

182

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

443

n

t f

Hösttid

155

n

Epå

Tänd Växling Förlust

8.24

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

4.43

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

182

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

464

n

t f

Hösttid

175

n

Epå

Tänd Växling Förlust

8.99

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

4.94

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF =25A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =25A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =25A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

2.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

55

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

0.93

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

5.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

58

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

1.72

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

5.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

60

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

2.01

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

40

nH

R CC+EE R AA ’+CC ’

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 3.00

mΩ

R tJC

Tvättpunkt – till – Fallstudie (perIGBT – inverter )

Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er)

Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)

Tvättpunkt – till – Fallstudie (perIGBT – broms – chopper ) Förbindelse till kassa (per diod-brake-chop per)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Fallstudie – till – Värmesänkande (perIGBT – inverter )

Housning-till-kylare (per diod-in er)

Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier)

Fallstudie – till – Värmesänkande (perIGBT – broms – chopper )Housning-till-kylare (per diod-brake- chopper) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g