Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 100A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
155
100
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
511 |
W |
Diod-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
100 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
200 |
A |
Diode-rektifierare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1600 |
V |
Jag O |
Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg |
100 |
A |
Jag FSM |
Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
1150
880
|
A |
Jag 2t |
Jag 2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
6600
3850
|
A 2s |
IGBT-broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
87
50
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
100 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
308 |
W |
Diod -broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
25 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
50 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare) |
175
150
|
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT -inverter Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =4.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
7.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
10.4 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.29 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.78 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C
|
|
218 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
35 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
287 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
212 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
9.23 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
6.85 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C
|
|
242 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
41 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
352 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
323 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
13.6 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
9.95 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C
|
|
248 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
43 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
365 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
333 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
14.9 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
10.5 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V
|
|
400
|
|
A
|
Diod -inverter Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =100A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag F =100A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =100A,V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2500A/μs,V Generella =-15V T j =25o C
|
|
5.89 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
103 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
3.85 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2100A/μs,V Generella =-15V T j =125o C
|
|
13.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
109 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
6.64 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=1950A/μs,V Generella =-15V T j =150o C
|
|
15.6 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
109 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
7.39 |
|
mJ |
Diod -rektifierare Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =100A, T j =150o C |
|
0.95 |
|
V |
Jag R |
Omvänd ström |
T j =150o C,V R =1600V |
|
|
2.0 |
mA |
IGBT -broms Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C =50A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =2.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
0 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
5.18 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.15 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.39 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C
|
|
171 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
32 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
340 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
82 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
6.10 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2.88 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C
|
|
182 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
43 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
443 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
155 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
8.24 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
4.43 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C
|
|
182 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
43 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
464 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
175 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
8.99 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
4.94 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V
|
|
200
|
|
A
|
Diod -broms Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =25A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag F =25A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =25A,V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =25o C
|
|
2.9 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
55 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
0.93 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =125o C
|
|
5.1 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
58 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
1.72 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =150o C
|
|
5.6 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
60 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
2.01 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA ’+CC ’ |
Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
|
R tJC
|
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT -inverter )
Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er)
Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT -broms -chopper ) Förbindelse till kassa (per diod-brake-chop per)
|
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
K/W
|
|
R thCH
|
Case -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )
Housning-till-kylare (per diod-in er)
Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier)
Case -till -Värmesänkande (perIGBT -broms -chopper )Housning-till-kylare (per diod-brake- chopper) Hylsa till värmesänk (per Modul)
|
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
K/W
|
M |
Monteringsmoment Skruv: M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
g |
EN
