GD100HCX170C6SA ,IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

196

100

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

815

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =125 o C

2.25

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =4.00 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

7.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

12.0

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj =25 o C

196

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

298

n

t f

Hösttid

367

n

E på

Tänd Växling Förlust

26.4

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

14.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj =125 o C

217

n

t r

Uppgångstid

53

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

n

t f

Hösttid

516

n

E på

Tänd Växling Förlust

36.0

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

21.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj = 150 o C

223

n

t r

Uppgångstid

56

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

374

n

t f

Hösttid

551

n

E på

Tänd Växling Förlust

39.1

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

22.4

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

400

A

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.184 0.274

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.060 0.090 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g