GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=650A,V Generella =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=650A,V Generella =15V, T j =125o C

2.35

IC=650A,V Generella =15V, T j =150o C

2.45

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.3

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

72.3

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.75

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

5.66

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j =25o C

468

n

t r

Uppgångstid

86

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

850

n

t f

Hösttid

363

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

226

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

161

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 125o C

480

n

t r

Uppgångstid

110

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1031

n

t f

Hösttid

600

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

338

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

226

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 150o C

480

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1040

n

t f

Hösttid

684

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

368

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

242

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF =650A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =650A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.98

IF =650A,V Generella =0V,T j = 150o C

2.02

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

176

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

765

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

87.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

292

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

798

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

159

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

341

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

805

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

192

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K