IGBT-modul 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Introduktion
Översikt

Introduktion

Kort introduktion ktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1700V 650A

Funktioner

Låg V Ce (satt ) Gräv IGBT teknologi
10μs kortslutningskapac itet
V Ce (satt ) med positiv temperatur koefficient
Maximal sammanslagningstemperatur 175o C
Förstorat diod för regenerativ operation
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Hög effekt och termisk cykling kapabil itet

Typisk Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Vind- och solkraft
Drivning av dragkraft

Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall notera

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 100o C	1073 650	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	1300	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C	4.2	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad toppomvänd spänning	1700	V
Jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	650	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	1300	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +150	o C
V ISO	Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =650A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.90	2.35	V
		Jag C =650A,V Generella =15V, T j =125 o C		2.35
		Jag C =650A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.45
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C = 24,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			2.3		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		72.3		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		1.75		nF
Q G	Portavgift	V Generella - Det är inte sant. 15...+15V		5.66		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j =25 o C		468		n
t r	Uppgångstid			86		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			850		n
t f	Hösttid			363		n
E på	Tänd Växling Förlust			226		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			161		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 125o C		480		n
t r	Uppgångstid			110		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			1031		n
t f	Hösttid			600		n
E på	Tänd Växling Förlust			338		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			226		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 150o C		480		n
t r	Uppgångstid			120		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			1040		n
t f	Hösttid			684		n
E på	Tänd Växling Förlust			368		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			242		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V		2600		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =650A,V Generella =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		Jag F =650A,V Generella =0V,T j = 125o C		1.98
		Jag F =650A,V Generella =0V,T j = 150o C		2.02
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C		176		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			765		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			87.4		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 125o C		292		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			798		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			159		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150o C		341		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			805		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			192		mJ

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
δR/R	Avvikelse av R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		18		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.30		mΩ
R tJC	Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		810		g