1700V 650A
Kort introduktion ktion
IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1700V 650A
Funktioner
Typisk Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall notera
IGBT
| Symbol | Beskrivning | Värde | Enhet | 
| V CES | Kollektor-emitterspänning | 1700 | V | 
| V GES | Gate-emitter spänning | ±20 | V | 
| Jag C | Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 100o C | 1073 650 | A | 
| Jag CM | Pulsad samlarström t p =1 ms | 1300 | A | 
| P D | Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C | 4.2 | kW | 
Diod
| Symbol | Beskrivning | Värde | Enhet | 
| V RRM | Upprepad toppomvänd spänning | 1700 | V | 
| Jag F | Diod kontinuerlig framåtström hyra | 650 | A | 
| Jag FM | Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms | 1300 | A | 
Modul
| Symbol | Beskrivning | Värde | Enhet | 
| T jmax | Maximal temperatur vid korsningen | 175 | o C | 
| T - Vad? | Användningstemperatur vid kryssningsstationen | -40 till +150 | o C | 
| T STG | Lagringstemperatur Räckvidd | -40 till +150 | o C | 
| V ISO | Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut. | 4000 | V | 
IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| 
 
 V CE (sat) | 
 
 Samlare till emitterare Mätningsspänning | Jag C =650A,V Generella =15V, T j =25 o C | 
 | 1.90 | 2.35 | 
 
 V | 
| Jag C =650A,V Generella =15V, T j =125 o C | 
 | 2.35 | 
 | |||
| Jag C =650A,V Generella =15V, T j = 150 o C | 
 | 2.45 | 
 | |||
| V Generella (th ) | Gränssnitt för gate-emitterare Spänning | Jag C = 24,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V | 
| Jag CES | Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande | V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 5.0 | mA | 
| Jag GES | Läckage i port-sändaren Nuvarande | V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 400 | nA | 
| R Gint | Inre portmotstånd förhandsbeskrivning | 
 | 
 | 2.3 | 
 | ω | 
| C ies | Inmatningskapacitet | V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V | 
 | 72.3 | 
 | nF | 
| C res | Omvänd överföring Kapacitet | 
 | 1.75 | 
 | nF | |
| Q G | Portavgift | V Generella - Det är inte sant. 15...+15V | 
 | 5.66 | 
 | μC | 
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j =25 o C | 
 | 468 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 86 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 850 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 363 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 226 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 161 | 
 | mJ | |
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 125o C | 
 | 480 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 110 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 1031 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 600 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 338 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 226 | 
 | mJ | |
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 150o C | 
 | 480 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 120 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 1040 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 684 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 368 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 242 | 
 | mJ | |
| 
 Jag SC | 
 SK-uppgifter | t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V | 
 | 
 2600 | 
 | 
 A | 
Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| 
 V F | Diod framåt Spänning | Jag F =650A,V Generella =0V,T j =25 o C | 
 | 1.85 | 2.30 | 
 V | 
| Jag F =650A,V Generella =0V,T j = 125o C | 
 | 1.98 | 
 | |||
| Jag F =650A,V Generella =0V,T j = 150o C | 
 | 2.02 | 
 | |||
| Q r | Återkrävt avgift | V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C | 
 | 176 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 765 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 87.4 | 
 | mJ | |
| Q r | Återkrävt avgift | V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 125o C | 
 | 292 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 798 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 159 | 
 | mJ | |
| Q r | Återkrävt avgift | V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150o C | 
 | 341 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 805 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 192 | 
 | mJ | 
NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| R 25 | Nominellt motstånd | 
 | 
 | 5.0 | 
 | kΩ | 
| δR/R | Avvikelse av R 100 | T C = 100 o C,R 100=493.3Ω | -5 | 
 | 5 | % | 
| P 25 | Ström Dissipation | 
 | 
 | 
 | 20.0 | mW | 
| B 25/50 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3375 | 
 | K | 
| B 25/80 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3411 | 
 | K | 
| B 25/100 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3433 | 
 | K | 
Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| L Ce | Strömavtryck | 
 | 18 | 
 | nH | 
| R CC+EE | Modul blymotstånd Terminal till chip | 
 | 0.30 | 
 | mΩ | 
| R tJC | Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod) | 
 | 
 | 35.8 71.3 | K/kW | 
| 
 R thCH | Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul) | 
 | 13.5 26.9 4.5 | 
 | K/kW | 
| 
 M | Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M5 | 1.8 8.0 3.0 | 
 | 2.1 10.0 6.0 | 
 N.M | 
| G | Vikt av Modul | 
 | 810 | 
 | g | 

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.   
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.