GD800HFA120C6SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =100 o C

800

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

4687

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

900

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1800

A

Jag FSM

Överspännings framström t p =10ms @ T vj =12 5o C @ T vj = 175 o C

2392

2448

A

Jag 2t

Jag 2t- värde ,t p =10 ms @ T vj =125 o C @ T vj = 175 o C

28608

29964

A 2s

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =800A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.40

1.85

V

Jag C =800A,V Generella =15V, T vj =125 o C

1.60

Jag C =800A,V Generella =15V, T vj = 175 o C

1.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 24,0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

28.4

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.05

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T vj =25 o C

168

n

t r

Uppgångstid

78

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

428

n

t f

Hösttid

123

n

E på

Tänd Växling Förlust

43.4

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

77.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

T vj =125 o C

172

n

t r

Uppgångstid

84

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

502

n

t f

Hösttid

206

n

E på

Tänd Växling Förlust

86.3

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

99.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

T vj = 175 o C

174

n

t r

Uppgångstid

90

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

531

n

t f

Hösttid

257

n

E på

Tänd Växling Förlust

99.8

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

105

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤8μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V Generella =15V,

T vj = 175 o C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.00

V

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.60

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj = 175 o C

1.50

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

47.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

400

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

13.6

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T vj =125 o C

82.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

401

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

26.5

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T vj = 175 o C

110

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

413

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

34.8

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K