GD800HFA120C6SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=100o C

800

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

4687

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

900

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1800

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- värde ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=800A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC=800A,V Generella =15V, T vj =125o C

1.60

IC=800A,V Generella =15V, T vj =175o C

1.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

28.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.05

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A, R G=0.5Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

n

t r

Uppgångstid

78

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

428

n

t f

Hösttid

123

n

Epå

Tänd Växling Förlust

43.4

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

77.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A,

R G=0.5Ω, L S = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

n

t r

Uppgångstid

84

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

502

n

t f

Hösttid

206

n

Epå

Tänd Växling Förlust

86.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

99.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=800A,

R G=0.5Ω, L S = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

n

t r

Uppgångstid

90

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

531

n

t f

Hösttid

257

n

Epå

Tänd Växling Förlust

99.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

105

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤8μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,

V CC =800V, V CEM ≤1200V

2600

A

t P≤6μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,

V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =900A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF =900A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.60

IF =900A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.50

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

400

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.6

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

401

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

26.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =175o C

110

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

413

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

34.8

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K